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公开(公告)号：CN102055392A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010611711.4
申请日：2010-12-17
Applicant: 北京控制工程研究所
IPC: H02P6/18
Abstract: 本发明公开了一种无刷直流电机无传感器线反电势位置检测方法，包括线反电势检测信号过零比较步骤和线反电势位置检测信号解调步骤。本发明通过对位置检测信号先进行过零比较，输出三个监测信号，利用三个监测信号控制三相采样/保持器的工作状态，利用该方法能够去除在任意两相换相过程中为其余一相造成的干扰，从而避免了滤波器的使用，同时不会带入延时，提高了检测精度，相比其他反电势检测方法实现简单，本发明无需进行电角度移相运算。
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公开(公告)号：CN102055392B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010611711.4
申请日：2010-12-17
Applicant: 北京控制工程研究所
IPC: H02P6/18
Abstract: 本发明公开了一种无刷直流电机无传感器线反电势位置检测方法，包括线反电势检测信号过零比较步骤和线反电势位置检测信号解调步骤。本发明通过对位置检测信号先进行过零比较，输出三个监测信号，利用三个监测信号控制三相采样/保持器的工作状态，利用该方法能够去除在任意两相换相过程中为其余一相造成的干扰，从而避免了滤波器的使用，同时不会带入延时，提高了检测精度，相比其他反电势检测方法实现简单，本发明无需进行电角度移相运算。
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公开(公告)号：CN104065373A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410287083.7
申请日：2014-06-24
Applicant: 北京控制工程研究所
IPC: H03K19/0944
Abstract: 本发明涉及一种线性工作功率MOSFET管并联方法，该方法包括步骤：(1)根据MOSFET管开启电压最大值VGS(th)max和输入信号的电压Vc选取电阻R1、R2、R4、R5；(2)搭建MOSFET管V1的测试电路；(3)测试MOSFET管V1的栅极电压值V1G1和V1G2；(4)连接MOSFET管V2的测试电路；(5)测试MOSFET管V2的栅极电压值V2G1和V2G2；(6)计算MOSFET管V1和MOSFET管V2的等效参数V1th、V2th；(7)选取电流反馈回路的电阻参数R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、R6'；(8)搭建并联电路；该方法可以将均流电路的开环放大倍数由几十倍降低到几倍，实现了较高精度的MOSFET管的均流，可以应用到电机控制等干扰较大的场合。
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公开(公告)号：CN104065373B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410287083.7
申请日：2014-06-24
Applicant: 北京控制工程研究所
IPC: H03K19/0944
Abstract: 本发明涉及一种线性工作功率MOSFET管并联方法，该方法包括步骤：(1)、根据MOSFET管开启电压最大值VGS(th)max和输入信号的电压Vc选取电阻R1、R2、R4、R5；(2)、搭建MOSFET管V1的测试电路；(3)、测试MOSFET管V1的栅极电压值V1G1和V1G2；(4)、连接MOSFET管V2的测试电路；(6)、计算MOSFET管V1和MOSFET管V2的等效参数V1th、V2th；(7)、选取电流反馈回路的电阻参数R1’、R2’、R3’、R4’、R5’、R6’；(8)、搭建并联电路；该方法可以将均流电路的开环放大倍数由几十倍降低到几倍，实现了较高精度的MOSFET管的均流，可以应用到电机控制等干扰较大的场合。(5)、测试MOSFET管V2的栅极电压值V2G1和V2G2；
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公开(公告)号：CN201636216U
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201020154383.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 北京控制工程研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种滚动轴承支撑衬套，具体涉及一种控制力矩陀螺内框架组件支撑衬套，所述的支撑衬套为空心圆柱体，空心圆柱体底部设有空心圆柱体凸台。本实用新型的衬套使内框架组件高速轴系形成了稳定的预载力系，提高了较大温度范围大跨距轴系游动端温度补偿的可靠性，增大了轴系的刚度，提高了轴系抗力学环境的能力。
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