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公开(公告)号：CN113506786B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110773312.6
申请日：2021-07-08
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: H01L23/49
Abstract: 一种适用于叠层式封装的层间连接线改良设计方法，属于封装技术领域。所述方法首先根据产品整体结构选择层间连接线的相对位置，使其靠近振动面中心以及固定约束；然后选择层间连接线线径尺寸，使其线径尽可能地小。调整打弯位置，打弯位置应位于层间连接线中部，打弯范围要尽可能地大；调整层间连接线打弯形状，使其保持“S”形。调整打弯圆弧半径大小，使其打弯圆弧半径尽可能地大；调整层间连接线焊点引出角度，应使得层间连接线引出部分与焊盘尽量接近90°。采用该方法设计的层间连接线在同样随机振动环境下所受最大等效应力相比传统结构大大降低，使用极低的成本有效提升了层间连接线的疲劳寿命。
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公开(公告)号：CN113361123B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110687975.6
申请日：2021-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 一种基于批量自动化热仿真的产品降额曲线设计方法，所述方法首先通过SolidWorks建立产品模型并导入Ansys SpaceClaim中，简化后导入Icepak。进行通用参数的设置后，在指标规定的环境温度范围里，通过.model文件、.cas文件分别修改组件功率及环境温度，并运行.bat文件进行热仿真，读取.out文件中的各器件监控点稳态温度值。若有器件温度过高，则降额重新进行仿真。直至所有器件符合条件，将对应温度下的负载电流值写入表格文件。在计算全部环境温度节点后，便可以调用表格文件绘制降额曲线。本发明提供一种更加贴近产品实际情况的降额曲线设计曲线，比传统降额曲线设计方法具有更高的准确性，对更好的发挥产品性能，保持产品的可靠性有着重要意义。
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公开(公告)号：CN113506786A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110773312.6
申请日：2021-07-08
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: H01L23/49
Abstract: 一种适用于叠层式封装的层间连接线改良设计方法，属于封装技术领域。所述方法首先根据产品整体结构选择层间连接线的相对位置，使其靠近振动面中心以及固定约束；然后选择层间连接线线径尺寸，使其线径尽可能地小。调整打弯位置，打弯位置应位于层间连接线中部，打弯范围要尽可能地大；调整层间连接线打弯形状，使其保持“S”形。调整打弯圆弧半径大小，使其打弯圆弧半径尽可能地大；调整层间连接线焊点引出角度，应使得层间连接线引出部分与焊盘尽量接近90°。采用该方法设计的层间连接线在同样随机振动环境下所受最大等效应力相比传统结构大大降低，使用极低的成本有效提升了层间连接线的疲劳寿命。
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公开(公告)号：CN112886545B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110141765.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明公开了一种适用于高压固态功率控制器具有短路保护功能的驱动电路，所述驱动电路包括接通后短路保护模块和短路后接通保护模块，所述接通后短路保护模块包括驱动芯片W2、电容C16、电容C24、电阻GR1；所述短路后接通模块包括驱动芯片W1、电阻GR2。本发明通过控制驱动芯片输入端的逻辑信号，控制其输出端的电压变化，配合与之相连的电容、电阻、二极管组合电路，实现对SiC MOSFET栅极电荷放电过程的控制，从而实现接通后短路以及短路后接通的短路保护功能。本发明通过较低成本实现了高压固态功率控制器的短路保护功能设计，对高可靠性、高集成度的固态功率控制器的产品生产有着重大的意义。
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公开(公告)号：CN113361123A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110687975.6
申请日：2021-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 一种基于批量自动化热仿真的产品降额设计方法，所述方法首先通过SolidWorks建立产品模型并导入Ansys SpaceClaim中，简化后导入Icepak。进行通用参数的设置后，在指标规定的环境温度范围里，通过.model文件、.cas文件分别修改组件功率及环境温度，并运行.bat文件进行热仿真，读取.out文件中的各器件监控点稳态温度值。若有器件温度过高，则降额重新进行仿真。直至所有器件符合条件，将对应温度下的负载电流值写入表格文件。在计算全部环境温度节点后，便可以调用表格文件绘制降额曲线。本发明提供一种更加贴近产品实际情况的降额设计曲线，比传统降额设计方法具有更高的准确性，对更好的发挥产品性能，保持产品的可靠性有着重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112886545A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110141765.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明公开了一种适用于高压固态功率控制器具有短路保护功能的驱动电路，所述驱动电路包括接通后短路保护模块和短路后接通保护模块，所述接通后短路保护模块包括驱动芯片W2、电容C16、电容C24、电阻GR1；所述短路后接通模块包括驱动芯片W1、电阻GR2。本发明通过控制驱动芯片输入端的逻辑信号，控制其输出端的电压变化，配合与之相连的电容、电阻、二极管组合电路，实现对SiC MOSFET栅极电荷放电过程的控制，从而实现接通后短路以及短路后接通的短路保护功能。本发明通过较低成本实现了高压固态功率控制器的短路保护功能设计，对高可靠性、高集成度的固态功率控制器的产品生产有着重大的意义。
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公开(公告)号：CN119846416A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411971051.9
申请日：2024-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法，所述方法如下：S1：设置开关应力参数：开关频率f、占空比d、正偏置电压VCC、负偏置电压VEE以及栅极电阻R；S2：基于OTF技术，利用碳化硅MOSFET转移特性曲线提取电路进行转移特性曲线提取，提取从正电压过渡到负电压期间的转移特性曲线与从负电压过渡到正电压期间的转移特性曲线；S3：将提取的两条转移特性曲线绘制于同一坐标轴内，凭借二者所围成的闭合图形来表征并实现对转移特性曲线迟滞特性的准确测量。该方法能够有效解决传统提取技术中，提取转移特性曲线前需要复杂的预处理以及提取过程中存在测量延迟的问题，显著提升测量精准度。
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公开(公告)号：CN118424246B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410475658.1
申请日：2024-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01C19/72
Abstract: 本发明是一种基于高阶非厄米奇异特性的高灵敏度微光学陀螺仪设计方法。本发明属于光学陀螺领域，本发明通过利用倒8形谐振腔与直波导的不对称耦合，使二阶PT对称系统在不增加调控参数个数的情况下从二阶非厄米系统调节至四阶非厄米系统；通过采用高灵敏度的π‑相移布拉格光栅来引起背向传播光模态间的耦合，实现Sagnac效应的非线性输出。本发明可以保证光学陀螺仪在满足微体积的同时具有极高灵敏度。
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公开(公告)号：CN118424246A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410475658.1
申请日：2024-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01C19/72
Abstract: 本发明是一种基于高阶非厄米奇异特性的高灵敏度微光学陀螺仪设计方法。本发明属于光学陀螺领域，本发明通过利用倒8形谐振腔与直波导的不对称耦合，使二阶PT对称系统在不增加调控参数个数的情况下从二阶非厄米系统调节至四阶非厄米系统；通过采用高灵敏度的π‑相移布拉格光栅来引起背向传播光模态间的耦合，实现Sagnac效应的非线性输出。本发明可以保证光学陀螺仪在满足微体积的同时具有极高灵敏度。
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公开(公告)号：CN111948751B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202010766939.4
申请日：2020-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明是一种基于650nm波段的光纤电流互感器光纤传感环的设计方法。本发明属于全光纤电流传感设计技术技术领域，本方法设置光纤的截面结构有多层空气孔；根据折射率导引型手性光子晶体光纤中PMMA中灰黄霉素的浓度，确定光纤的手性参数；确定光纤的空气填充比的取值范围，并任取满足要求的数值作为光纤最终的空气填充比大小；根据得到的光纤的手性参数和空气填充比，确定光纤的晶格常数的取值范围，并任取满足要求的数值作为光纤最终的晶格常数大小。本发明采用性光子晶体光纤传感环方案的光纤电流互感器系统的比差为0.235％，证明了设计的手性光子晶体光纤参数设计的合理性，并表明了光纤电流互感器系统电流测量准确度提升程度。
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