公开(公告)号：CN119846415A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411922366.4

申请日：2024-12-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  孔维轩 ,  王辰一 ,  王浩东 ,  寇雅婷 ,  张东 ,  翟国富

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/36 ,  H02H3/20 ,  G06N3/0442

Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的自动化双脉冲测试及参数特征分析平台，包括硬件平台和软件平台，其中：硬件平台包括控制单元、自动化驱动单元、智能数据单元、隔离单元和元件测试单元；控制单元包括上位机控制模块、串口通信传输模块和以太网通信传输模块；自动化驱动单元包括MCU控制模块、ADC模块、采样模块、过压保护模块、GPIO模块和驱动模块；智能数据单元包括数据采集模块、数据处理模块和数据处理模块；隔离单元包括信号隔离模块和驱动隔离模块；软件平台包括MCU控制程序和上位机程序。本发明能够实现自动化双脉冲测试及参数特征深度分析，并可视化相应的分析结果，极大地提高了双脉冲测试效率和测试可靠性。

公开(公告)号：CN119846416A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411971051.9

申请日：2024-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈岑 ,  王梓丞 ,  王明阳 ,  鲁博航 ,  魏俊平 ,  李志豪 ,  郭毅 ,  寇雅婷 ,  翟国富

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种在双极开关应力下的碳化硅MOSFET转移特性曲线测试方法，所述方法如下：S1：设置开关应力参数：开关频率f、占空比d、正偏置电压VCC、负偏置电压VEE以及栅极电阻R；S2：基于OTF技术，利用碳化硅MOSFET转移特性曲线提取电路进行转移特性曲线提取，提取从正电压过渡到负电压期间的转移特性曲线与从负电压过渡到正电压期间的转移特性曲线；S3：将提取的两条转移特性曲线绘制于同一坐标轴内，凭借二者所围成的闭合图形来表征并实现对转移特性曲线迟滞特性的准确测量。该方法能够有效解决传统提取技术中，提取转移特性曲线前需要复杂的预处理以及提取过程中存在测量延迟的问题，显著提升测量精准度。