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公开(公告)号：CN112688162A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011554812.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的注入电流大于第二垂直腔面发射激光器单元的注入电流；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，大于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，可在不改变各个垂直腔面发射激光器单元原有台面排布的基础上，实现在较大偏置范围内对垂直腔面发射激光器阵列中结温分布均匀性的有效改善，进而提高其输出光束质量。
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公开(公告)号：CN113868905B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111063458.8
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/006 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种运用粒子群算法优化VCSEL阵列排布的方法，基于改善结温分布均匀性的目的，本发明运用迭代收敛技术将优化过程分为两个部分，分别是热电反馈计算过程和粒子群排布优化过程。在粒子群算法中引入基于最小势能原理的适应度函数来提供优化标准，同时在更新粒子群速度和位置时引入随机因子，以增加群体的随机性，提高算法的优化效率。以具有4×4个单元的VCSEL阵列为例进行了排布优化设计，证明了本发明方法的有效性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112688162B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011554812.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的注入电流大于第二垂直腔面发射激光器单元的注入电流；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，大于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，可在不改变各个垂直腔面发射激光器单元原有台面排布的基础上，实现在较大偏置范围内对垂直腔面发射激光器阵列中结温分布均匀性的有效改善，进而提高其输出光束质量。
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公开(公告)号：CN113838926B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110934402.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO2埋氧层(2107)、和Si衬底(2108)构成的晶体管(21)和模式控制端(22)。在第一模式(高压模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中晶体管的击穿电压(BVCBO和BVCEO)高达7.5V和2.0V以上。在第二模式(高增益模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中的晶体管(21)的峰值电流增益高达150以上。模式控制端(22)通过控制供应给晶体管(21)中衬底电极(2112)处的模式控制信号来切换所述高频横向双极晶体管电路的工作模式。
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公开(公告)号：CN116207605A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211549261.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种结温可调的垂直腔面发射激光器，包括由N型电极(10)和衬底层(11)组成的衬底，由N型DBR(31)、有源区(32)、SiO2层(33)、氧化限制层(34)、P型DBR(35)、正电极(36)组成的VCSEL，和由P型电极端(21)、多组热电偶对和接地端(26)组成的串联热电偶对。本发明所述激光器还可由多个结温可调的垂直腔面发射激光器构成二维阵列结构，其中每个结温可调的垂直腔面发射激光器的结温均可通过设置相应的P型电极端(21)注入的电流进行调节。与常规垂直腔面发射激光器相比，本发明可实现对单个激光器和具有二维阵列结构激光器结温的精准调控，从而有效提高激光器的热可靠性。
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公开(公告)号：CN113868905A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111063458.8
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种运用粒子群算法优化VCSEL阵列排布的方法，基于改善结温分布均匀性的目的，本发明运用迭代收敛技术将优化过程分为两个部分，分别是热电反馈计算过程和粒子群排布优化过程。在粒子群算法中引入基于最小势能原理的适应度函数来提供优化标准，同时在更新粒子群速度和位置时引入随机因子，以增加群体的随机性，提高算法的优化效率。以具有4×4个单元的VCSEL阵列为例进行了排布优化设计，证明了本发明方法的有效性。
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公开(公告)号：CN113838926A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110934402.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO2埋氧层(2107)、和Si衬底(2108)构成的晶体管(21)和模式控制端(22)。在第一模式(高压模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中晶体管的击穿电压(BVCBO和BVCEO)高达7.5V和2.0V以上。在第二模式(高增益模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中的晶体管(21)的峰值电流增益高达150以上。模式控制端(22)通过控制供应给晶体管(21)中衬底电极(2112)处的模式控制信号来切换所述高频横向双极晶体管电路的工作模式。
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