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公开(公告)号：CN111081702A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911128738.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/737 , H01L21/82
Abstract: 一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113838927B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110985799.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/06 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管，为npn型晶体管。采用SiGe材料制备基区，与未掺杂的Si发射区和Si集电区形成异质结，通过有效改变发射结处能带结构来提高器件的电流增益。同时考虑到金属镉的功函数为4.07eV，易于与未掺杂的Si形成良好的金‑半接触，有效诱导产生n型电荷等离子体，且具有优良的导电性，较好的抗熔焊性，以及优异的抗拉强度和高耐磨性等优点，因此本发明采用金属镉作为发射极和集电极的电极材料，用于调节发射极和集电极下方对应发射区和集电区内n型载流子浓度。通过上述结构的有效配合，实现了晶体管电流增益、击穿电压和特征频率的同步提高。
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公开(公告)号：CN113838926B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110934402.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO2埋氧层(2107)、和Si衬底(2108)构成的晶体管(21)和模式控制端(22)。在第一模式(高压模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中晶体管的击穿电压(BVCBO和BVCEO)高达7.5V和2.0V以上。在第二模式(高增益模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中的晶体管(21)的峰值电流增益高达150以上。模式控制端(22)通过控制供应给晶体管(21)中衬底电极(2112)处的模式控制信号来切换所述高频横向双极晶体管电路的工作模式。
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公开(公告)号：CN111081702B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201911128738.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/737 , H01L21/82
Abstract: 一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。
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公开(公告)号：CN113838927A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110985799.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L29/06 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管，为npn型晶体管。采用SiGe材料制备基区，与未掺杂的Si发射区和Si集电区形成异质结，通过有效改变发射结处能带结构来提高器件的电流增益。同时考虑到金属镉的功函数为4.07eV，易于与未掺杂的Si形成良好的金‑半接触，有效诱导产生n型电荷等离子体，且具有优良的导电性，较好的抗熔焊性，以及优异的抗拉强度和高耐磨性等优点，因此本发明采用金属镉作为发射极和集电极的电极材料，用于调节发射极和集电极下方对应发射区和集电区内n型载流子浓度。通过上述结构的有效配合，实现了晶体管电流增益、击穿电压和特征频率的同步提高。
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公开(公告)号：CN113838926A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110934402.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO2埋氧层(2107)、和Si衬底(2108)构成的晶体管(21)和模式控制端(22)。在第一模式(高压模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中晶体管的击穿电压(BVCBO和BVCEO)高达7.5V和2.0V以上。在第二模式(高增益模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中的晶体管(21)的峰值电流增益高达150以上。模式控制端(22)通过控制供应给晶体管(21)中衬底电极(2112)处的模式控制信号来切换所述高频横向双极晶体管电路的工作模式。
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