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公开(公告)号：CN113690374B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110951853.3
申请日：2021-08-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，涉及光电器件的微纳加工领域。其步骤是：1)制备均匀的钙钛矿薄膜并放置两个电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子(如碘离子、MA离子等)的特定浓度分布；3)通过第1步中的电极向薄膜施加电压，驱动第2步中游离离子空间重排，改变钙钛矿薄膜在不同位置的成分和费米能级，使其符合微纳PN结的要求；4)通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结。
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公开(公告)号：CN115692539A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211394928.3
申请日：2022-11-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种可实现动态目标探测的视网膜形态光电探测器，属于光电探测器领域。光电探测器自上而下依次包括上电极(1)、绝缘层(2)、光吸收层(3)、下电极(4)，其中上电极为钛和金，绝缘层为二氧化硅，光吸收层为本征硅，下电极为铜。上电极(1)为多独立闭环排列组成，闭环数量对应图像传感器的像素数量，数量越多可以实现更加清晰的图像探测结果。并在每一个闭环一侧引出引线。每个闭环结构：下层为10nm厚的钛，上层为70nm厚的金。对于不变的光强信号本探测器不会输出信号，而当光强发生变化时，本探测器会输出一个脉冲电信号，脉冲强度与光强变化前后的比值呈正比关系。
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公开(公告)号：CN115332374A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN113702451A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110957687.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/24
Abstract: 一种用于激励能级电容分析法的缺陷态空间位置测定方法，属于半导体材料测试领域。将DLCP电压为V条件下，能级深度浅于E的陷阱态的态密度记为N(E,V)；将DLCP电压为V条件下(对应特定空间位置)，单位位置、能量空间中的态密度记为g(E,V)。计算不同能量、空间位置的(xe(ETi,Vk),N(ETi,Vk))；最后，根据公式(1)，可计算单位位置、能量空间的陷阱态的态密度g(ETi,Vk)，即因此可整理成(xe(ETi,Vk),g(ETi,Vk))的数据表格，其中xe(ETi，Vk)即为所求解的陷阱位置。
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公开(公告)号：CN115332374B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118368912A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410464885.4
申请日：2024-04-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H10K39/15 , H10K30/40 , H10K30/50 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: 一种三端杂化背接触晶硅/反式钙钛矿叠层太阳能电池结构，属于太阳能电池领域。包括反式钙钛矿顶电池和杂化背接触晶硅底电池，反式钙钛矿顶电池从上到下依次为：第一金属电极层、第一透明电极层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层。杂化背接触晶硅底电池从上到下依次为：第一钝化层、晶硅光吸收层、电极背接触区域，所述电极背接触区域分为TOPCon区域和SHJ区域，其中TOPCon区域从上到下依次为第二钝化层、多晶硅层、第二透明电极层、第二金属电极层，SHJ区域从上到下依次为第三钝化层、纳米晶硅层、第三透明电极层、第三金属电极层。本发明的太阳能叠层电池提高了太阳能的利用率，避免了二端叠层结构电流匹配限制和四端叠层结构光学损失严重对电池效率带来的负面影响，减少了光学损失，获得更高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117392741A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311141979.X
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06V40/20 , G06V40/16 , G06V20/52 , G06V10/74 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G10L15/02 , G10L21/0208 , G10L25/51 , H04N7/18 , G08B13/196 , G08B21/24 , G06Q50/20
Abstract: 基于图像识别、语音识别的智能考场行为分析与检测系统，属于分析系统。包括硬件模块与软件模块；分为学生端与教师端。学生端用于收集、处理考生的考场行为信息；包括主控CPU1、摄像头1、摄像头2、麦克风、存储模块1、数据处理模块、双机位调整模块、考生行为分析模块、通讯模块1和显示模块1。通过摄像头及麦克风采集数据，存储在存储模块中，数据处理模块通过人脸识别与人体行为识别对考生身份以及行为进行识别，通过音频识别判断考生所处环境中是否有人讲话，双机位调整模块提醒考生调整摄像头位置至规定位置，使采集的数据更加准确。考生行为分析模块对考生的行为进行分析，判断是否存在违规行为。最终在教师端显示处理后的数据。
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公开(公告)号：CN116864557A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310687015.9
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种晶硅组合面抑制产生晶硅外延和纳米孪晶的方法，属于太阳能电池领域。通过设计一种晶硅组合平面，在制备硅异质结(SHJ)太阳电池的过程中可以有效地抑制晶硅/非晶硅(c‑Si/a‑Si)界面处晶硅外延和纳米孪晶的形成与生长。通过利用Lammps软件对不同晶硅组合面组成的c‑Si/a‑Si界面模型进行分子动力学模拟以对本发明所设计的不同晶硅组合面对界面形貌的影响，并与以纯(111)面组成的界面分子动力学模拟结果对比，研究结果表明(111)/(011)这种组合面可以有效抑制c‑Si外延和纳米孪晶的形成与生长，改善了c‑Si/a‑Si界面质量。该方法有希望指导SHJ太阳电池的未来研究方向。
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公开(公告)号：CN116528631A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310303286.X
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法，属于探测器技术领域。其步骤为：1)器件采用平面结构，电极为底电极；2)通过在钙钛矿前驱体溶液中添加PEAI或GuCl等抑制离子迁移的添加剂；3)在图形化电极阵列上旋涂钙钛矿来制备钙钛矿薄膜4)通过预先制备的图形化底电极对钙钛矿薄膜施加偏压，使其内部离子进行定向移动形成局部掺杂，在阵列各个单元器件中形成PN结；4)通过偏压极化后，阵列中各单元器件已形成光电二极管可在0V偏压下进行工作。
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公开(公告)号：CN116525692A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310531961.4
申请日：2023-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/074 , H01L31/18
Abstract: 一种用于硅异质结太阳电池提效降本的栅线制备方法，属于太阳电池领域。通过用激光的方式在沉积了氮化硅的衬底上形成栅线图案，经过碱洗工艺后去除损失层后，再沉积钝化层与背场层可以有效避免激光造成的钝化层损伤问题，避免了正面非晶硅层与TCO的寄生吸收。
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