公开(公告)号：CN116525692A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310531961.4

申请日：2023-05-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  张鑫 ,  陈小青 ,  郑子龙 ,  孙召清 ,  程建功

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/074 ,  H01L31/18

Abstract: 一种用于硅异质结太阳电池提效降本的栅线制备方法，属于太阳电池领域。通过用激光的方式在沉积了氮化硅的衬底上形成栅线图案，经过碱洗工艺后去除损失层后，再沉积钝化层与背场层可以有效避免激光造成的钝化层损伤问题，避免了正面非晶硅层与TCO的寄生吸收。

公开(公告)号：CN113410328A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110520121.9

申请日：2021-05-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  张永哲 ,  宋雪梅 ,  郑子龙 ,  陈小青 ,  孙召清 ,  张鑫

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 一种晶硅异质结太阳能电池，属于太阳能光伏技术领域。在硅片的正面也通过沉积上本征氢化非晶硅钝化膜来钝化悬挂键，但是为了减少掺杂氢化非晶硅和TCO的吸收损失，在上本征氢化非晶硅钝化膜正面的掺杂氢化非晶硅只覆盖了小部分面积来作为电子的选择性传输通道。减少n型掺杂氢化非晶硅的覆盖面积是基于太阳电池的衬底也为n型掺杂，电子为多数载流子，其在衬底中有良好的传输能力。虽然减少了前表面场的覆盖面积会使电子的扩散距离变大，但良好的传输能力可避免引起传输损失。同样地，正面的透明导电氧化物薄膜也仅沉积在n型掺杂氢化非晶硅上部，透明导电氧化物薄膜上部有金属电极来形成紧密欧姆接触。

公开(公告)号：CN117712205A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410073974.6

申请日：2024-01-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郑子龙 ,  陶相霖 ,  陈小青 ,  蔡宏波 ,  孙召清 ,  严辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

Abstract: 一种提升光生载流子的异质结太阳能电池，属于太阳能电池领域。通过设计并在交叉指式背接触异质结电池(HBC)插入一层单重态裂分(SF)层，增强光生激子和激子解离过程。利用SF层吸收太阳光谱中的高能光子，通过单重态裂分过程，降低热载流子的产生，并且理论可实现200％的T1激子量子产率；HBC中的晶硅层用于吸收余下的低能光子；SF+HBC电池提升光生激子的产生，具有可比拟叠层太阳电池的理论效率，并且避免了叠层电池中复杂多层的器件结构和生产成本。该方法SF层设计具有普遍的适用性，不仅可以和HBC电池结合形成“叠层”电池，也可用于升级其它硅基太阳电池技术。

公开(公告)号：CN113702451B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202110957687.8

申请日：2021-08-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 陈小青 ,  张鑫 ,  严辉 ,  张永哲 ,  孙召清

IPC: G01N27/24

Abstract: 一种用于激励能级电容分析法的缺陷态空间位置测定方法，属于半导体材料测试领域。将DLCP电压为V条件下，能级深度浅于E的陷阱态的态密度记为N(E,V)；将DLCP电压为V条件下(对应特定空间位置)，单位位置、能量空间中的态密度记为g(E,V)。计算不同能量、空间位置的(xe(ETi,Vk),N(ETi,Vk))；最后，根据公式(1)，可计算单位位置、能量空间的陷阱态的态密度g(ETi,Vk)，即#imgabs0##imgabs1#因此可整理成(xe(ETi,Vk),g(ETi,Vk))的数据表格，其中xe(ETi，Vk)即为所求解的陷阱位置。

公开(公告)号：CN112701182A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011598294.4

申请日：2020-12-29

Applicant: 北京工业大学 ,  中国科学院大学

Inventor： 严辉 ,  刘丰珍 ,  张永哲 ,  宋雪梅 ,  郑子龙 ,  陈小青 ,  周玉荣 ,  周玉琴 ,  何永才 ,  孙召清

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/0747

Abstract: 一种双面入光结构的太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。从上至下分别为：第一透明导电层(1)、第一载流子传输层(2)、第一钝化层(3)、晶体硅(4)、第二钝化层(5)、第二载流子传输层(6)、第二透明导电层(7)。完成第一和第二透明导电层后，再分别在第一和第二透明导电层外表面制作栅线状正面电极和背面电极即栅线电极(8)，用来收集并导出光生载流子。晶硅化合物太阳能电池可以实现双面入光双面发电，进而有更高的转换效率。

公开(公告)号：CN113702451A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110957687.8

申请日：2021-08-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 陈小青 ,  张鑫 ,  严辉 ,  张永哲 ,  孙召清

IPC: G01N27/24

Abstract: 一种用于激励能级电容分析法的缺陷态空间位置测定方法，属于半导体材料测试领域。将DLCP电压为V条件下，能级深度浅于E的陷阱态的态密度记为N(E,V)；将DLCP电压为V条件下(对应特定空间位置)，单位位置、能量空间中的态密度记为g(E,V)。计算不同能量、空间位置的(xe(ETi,Vk),N(ETi,Vk))；最后，根据公式(1)，可计算单位位置、能量空间的陷阱态的态密度g(ETi,Vk)，即因此可整理成(xe(ETi,Vk),g(ETi,Vk))的数据表格，其中xe(ETi，Vk)即为所求解的陷阱位置。