公开(公告)号：CN116864557A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310687015.9

申请日：2023-06-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郑子龙 ,  蔡宏波 ,  严辉 ,  楚飞鸿 ,  张永哲 ,  陈小青

IPC: H01L31/036 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  H01L31/18

Abstract: 一种晶硅组合面抑制产生晶硅外延和纳米孪晶的方法，属于太阳能电池领域。通过设计一种晶硅组合平面，在制备硅异质结(SHJ)太阳电池的过程中可以有效地抑制晶硅/非晶硅(c‑Si/a‑Si)界面处晶硅外延和纳米孪晶的形成与生长。通过利用Lammps软件对不同晶硅组合面组成的c‑Si/a‑Si界面模型进行分子动力学模拟以对本发明所设计的不同晶硅组合面对界面形貌的影响，并与以纯(111)面组成的界面分子动力学模拟结果对比，研究结果表明(111)/(011)这种组合面可以有效抑制c‑Si外延和纳米孪晶的形成与生长，改善了c‑Si/a‑Si界面质量。该方法有希望指导SHJ太阳电池的未来研究方向。

公开(公告)号：CN115547419A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211217408.5

申请日：2022-10-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  李汶玲 ,  郑子龙 ,  楚飞鸿 ,  周荣锟 ,  张美玉 ,  张永哲 ,  王如志

IPC: G16C10/00 ,  G16C20/70 ,  G16C20/80 ,  G16C20/10 ,  G16C20/50

Abstract: 本发明公开了基于分子动力学模拟测试硅基太阳电池表面粗糙度的方法，通过Lammps软件中“deposit”沉积命令将SiH3基团分子作为沉积对象，使SiH3基团分子沉积到光滑的晶体硅基底上；即采用分子动力学模拟中的沉积命令作为加载工具，根据牛顿第二定律，分子沉积后构成分子的原子的速度会发生变化，原子间的作用力会使SiH3分子生长在晶体硅上，即晶体硅上面生长了氢化非晶硅薄膜；采用混合势函数描述晶体硅和SiH3分子中原子和原子的相互作用。该方法基于开源软件Lammps和可视化工具Ovito，在可视化结果分析后结合粗糙度公式，从而计算得出晶硅上面生长的氢化非晶硅薄膜表面粗糙度大小，为实际中制备薄膜所需要的条件提供理论指导。