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公开(公告)号：CN113690374B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110951853.3
申请日：2021-08-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，涉及光电器件的微纳加工领域。其步骤是：1)制备均匀的钙钛矿薄膜并放置两个电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子(如碘离子、MA离子等)的特定浓度分布；3)通过第1步中的电极向薄膜施加电压，驱动第2步中游离离子空间重排，改变钙钛矿薄膜在不同位置的成分和费米能级，使其符合微纳PN结的要求；4)通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结。
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公开(公告)号：CN116528631A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310303286.X
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法，属于探测器技术领域。其步骤为：1)器件采用平面结构，电极为底电极；2)通过在钙钛矿前驱体溶液中添加PEAI或GuCl等抑制离子迁移的添加剂；3)在图形化电极阵列上旋涂钙钛矿来制备钙钛矿薄膜4)通过预先制备的图形化底电极对钙钛矿薄膜施加偏压，使其内部离子进行定向移动形成局部掺杂，在阵列各个单元器件中形成PN结；4)通过偏压极化后，阵列中各单元器件已形成光电二极管可在0V偏压下进行工作。
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公开(公告)号：CN113690374A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110951853.3
申请日：2021-08-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，涉及光电器件的微纳加工领域。其步骤是：1)制备均匀的钙钛矿薄膜并放置两个电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子(如碘离子、MA离子等)的特定浓度分布；3)通过第1步中的电极向薄膜施加电压，驱动第2步中游离离子空间重排，改变钙钛矿薄膜在不同位置的成分和费米能级，使其符合微纳PN结的要求；4)通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结。
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