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公开(公告)号：CN1076736A
公开(公告)日：1993-09-29
申请号：CN92101723.5
申请日：1992-03-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种作可调谐激光晶体用的掺铬钨酸锌单晶的退火工艺属于钨酸盐单晶体制造领域。其特征在于：它是一种在固态介质中进行的退火工艺。所用的介质为Al2O3粉，或者TiO2粉，也可用上述两者按重量比配制的混合物，其退火温度在1100～1200℃间，保温20～30小时，再以130±30℃/小时的速率降至室温。用本法制得的晶棒可大大消除色芯。故透光性强，在室温下泵浦时发光效率也高。当在上述混合物中退火时其激光输出能量平均可达0.7mJ。
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公开(公告)号：CN1865537A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610076273.X
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺属于单晶生长领域。目前稀土离子在钨酸钡中掺杂浓度很低，无法做成有实用价值的激光晶体。本发明的钨酸钡单晶制备工艺，包括以下步骤：在纯度≥99.99％的钨酸钡BaWO4粉末中，加入占最后产物的摩尔百分比为0.1～5％的K2WO4粉末和摩尔百分比为0.1～10％的稀土氧化物粉末；按上述比例准确称量原料，混匀后放入坩埚，在炉中加热至熔点1475℃～1495℃，从坩埚顶部放入籽晶于熔体中，提拉、旋转，等径生长钨酸钡单晶。本发明可获得高光学质量的大尺寸单晶。同样条件下，采用本发明后稀土离子吸收系数比未掺K+时提高一倍以上；改善了发光性能，提高了效率，增大了激光的输出功率；晶体的上转换发光性能增强。
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公开(公告)号：CN1366098A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN02100318.1
申请日：2002-01-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法,特别是一种用于位错密度测定的钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法。本发明的特征在于:将钒酸盐及掺杂稀土单晶抛光后置于浸蚀液中,浸蚀液成份为浓磷酸和氢氟酸,其体积比为浓磷酸∶氢氟酸=100∶0～10,在温度60～180℃下浸蚀1～30min,将浸蚀后的晶体冲净、擦干,进行位错蚀坑观察与测试。所述的钒酸盐为钒酸钇或钒酸钆。该方法可以用来判断晶体生长的质量,以保证长出高质量的晶体。该方法可应用于籽晶质量判断,晶体质量控制和晶体品质鉴定等领域。
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公开(公告)号：CN1887498A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610088994.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种红外激光路径上转换为可见光的显示方法，属于激光加工领域。目前激光加工中的红外光路显示及焦点调节方法主要有斜板法及垂直升降法。本发明采用合适的生长工艺生长出稀土离子掺杂的上转换晶体(6)，经退火、定向、切割、表面进行光学抛光后，将之置于工作平台(4)上，使波长在0.8μm－1.06μm范围内的一种红外激光束(2)进入上转换发光晶体(6)后转换为蓝色光束(7)，蓝色光束(7)束腰的最窄处即为焦点的位置。本发明克服了斜板法及垂直升降法的缺点，提供了一种直观、高效、可靠、经济的方法解决红外光路显示及焦点测量的问题。还可以应用于激光医学和其它需要精确观测激光光束路径和精确确定激光焦点的场合。
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公开(公告)号：CN1492083A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03157527.7
申请日：2003-09-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种两端无掺杂激光棒的单晶生长工艺属于单晶生长技术领域，涉及两端无掺杂激光棒的制备工艺。本发明提供的工艺包括以下步骤：常规加工好激光棒；将激光棒从顶部放入与激光基质相同介质的熔融液体中，激光棒边缘微熔后，以常规的单晶生长工艺生长出所需长度的无掺杂单晶；倒转激光棒重复上述过程，即可制得两端无掺杂的单晶激光棒。本发明解决了激光棒端面不能冷却问题，使激光工作介质达到全方位冷却，提高了冷却效果；由于直接生长两端无掺杂激光棒，在激光棒掺杂部分与无掺杂部分之间无任何接缝，避免了粘接法产生的各种缺陷，改善了激光光束质量，提高了效率，能有效延长激光晶体的使用寿命，增大了激光的平均输出功率和激光脉冲重复频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1051339A
公开(公告)日：1991-05-15
申请号：CN90108654.1
申请日：1990-10-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: C03C8/02
Abstract: 绿彩金星釉料属于一种可用于景泰蓝和料器制造的装饰用高温釉料。 本发明的特征是在以SiO2、Al2O3、CaCO3、K2CO3和NaNO3为主的基料中再加入Na2B4O7·10H2O或Na2CO3，另外还有兼起着色作用的成核剂Cr2O3、TiO2和ZrO2。有时为了使金星细密而均匀，还可加入成核促进WO3。与现有的金星釉料相比，它是一种绿底五彩金星釉料，在阳光下可显示出红、蓝、绿、黄和紫色，其晶粒可大可小，直径在0.1～1mm之间，可作装饰材料使用。
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公开(公告)号：CN101944703A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010241862.5
申请日：2010-07-30
Applicant: 北京工业大学
Inventor： 臧竞存
Abstract: 本发明公开了激光棒端接Cr4+:YAG的制备工艺，属于单晶生长技术领域。具体工艺包括：将按照常规方法加工好的激光棒Nd:YAG直接在Cr:YAG溶体中接晶，等径生长到一定尺寸时提出液面，降温冷却至室温，再研磨、抛光、镀膜，成为带调Q元件的激光棒。本发明避免了粘接法产生的各种缺陷，其晶格构造完全相同，物理机械性能整体保持了一致性，晶体调Q部分吸收值可根据不同要求由长度确定，增加了器件的适应性和灵活性。
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公开(公告)号：CN1219917C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03157527.7
申请日：2003-09-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种两端无掺杂激光棒的单晶生长工艺属于单晶生长技术领域，涉及两端无掺杂激光棒的制备工艺。本发明提供的工艺包括以下步骤：常规加工好激光棒；将激光棒从顶部放入与激光基质相同介质的熔融液体中，激光棒边缘微熔后，以常规的单晶生长工艺生长出所需长度的无掺杂单晶；倒转激光棒重复上述过程，即可制得两端无掺杂的单晶激光棒。本发明解决了激光棒端面不能冷却问题，使激光工作介质达到全方位冷却，提高了冷却效果；由于直接生长两端无掺杂激光棒，在激光棒掺杂部分与无掺杂部分之间无任何接缝，避免了粘接法产生的各种缺陷，改善了激光光束质量，提高了效率，能有效延长激光晶体的使用寿命，增大了激光的平均输出功率和激光脉冲重复频率。
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公开(公告)号：CN1588616A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410069247.5
申请日：2004-07-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法涉及半导体发光材料的制备工艺。寻找适宜的衬底材料成为制备高质量ZnO薄膜的关键。现有衬底材料为玻璃、硅单晶、白宝石、石英、氧化锌陶瓷基片和ScAlMgO4(0001)，或因晶格失配率高，或因成分相差太大，造成薄膜晶体结构缺陷大量存在。本发明特征在于，它包括以下步骤：生长出位错密度低于400/cm2钨酸锌单晶；将上述钨酸锌单晶晶体定向，切割出(100)晶面，偏差小于1°；加工(100)晶面，平整度＜λ/4，λ＝633nm，粗糙度＜10nm；制备ZnO薄膜。本发明采用溶胶凝胶法制备的氧化锌薄膜具有特别优良的结构特性，表面平滑，取向性好，发光性能良好，光致发光波长396nm，如图所示；易于ZnO薄膜取向，并垂直(0001)晶面沿c方向生长。
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公开(公告)号：CN100395380C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610076273.X
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺属于单晶生长领域。目前稀土离子在钨酸钡中掺杂浓度很低，无法做成有实用价值的激光晶体。本发明的钨酸钡单晶制备工艺，包括以下步骤：在纯度≥99.99%的钨酸钡BaWO4粉末中，加入占最后产物的摩尔百分比为0.1～5%的K2WO4粉末和摩尔百分比为0.1～10%的稀土氧化物粉末；按上述比例准确称量原料，混匀后放入坩埚，在炉中加热至熔点1475℃～1495℃，从坩埚顶部放入籽晶于熔体中，提拉、旋转，等径生长钨酸钡单晶。本发明可获得高光学质量的大尺寸单晶。同样条件下，采用本发明后稀土离子吸收系数比未掺K+时提高一倍以上；改善了发光性能，提高了效率，增大了激光的输出功率；晶体的上转换发光性能增强。
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