公开(公告)号：CN1142330C

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN02100318.1

申请日：2002-01-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 臧竞存 ,  马会龙

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/30 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明涉及一种钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法，特别是一种用于位错密度测定的钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法。本发明的特征在于：将钒酸盐及掺杂稀土单晶抛光后置于浸蚀液中，浸蚀液成份为浓磷酸和氢氟酸，其体积比为浓磷酸∶氢氟酸＝100∶5～10，在温度60～180℃下浸蚀1～30min，将浸蚀后的晶体冲净、擦干，进行位错蚀坑观察与测试。所述的钒酸盐为钒酸钇或钒酸钆。该方法可以用来判断晶体生长的质量，以保证长出高质量的晶体。该方法可应用于籽晶质量判断，晶体质量控制和晶体品质鉴定等领域。

公开(公告)号：CN1366098A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN02100318.1

申请日：2002-01-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 臧竞存 ,  马会龙

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/30 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明涉及一种钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法,特别是一种用于位错密度测定的钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法。本发明的特征在于:将钒酸盐及掺杂稀土单晶抛光后置于浸蚀液中,浸蚀液成份为浓磷酸和氢氟酸,其体积比为浓磷酸∶氢氟酸=100∶0～10,在温度60～180℃下浸蚀1～30min,将浸蚀后的晶体冲净、擦干,进行位错蚀坑观察与测试。所述的钒酸盐为钒酸钇或钒酸钆。该方法可以用来判断晶体生长的质量,以保证长出高质量的晶体。该方法可应用于籽晶质量判断,晶体质量控制和晶体品质鉴定等领域。