公开(公告)号：CN1588616A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410069247.5

申请日：2004-07-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 臧竞存 ,  邹玉林 ,  迟静 ,  何斌 ,  翟琳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法涉及半导体发光材料的制备工艺。寻找适宜的衬底材料成为制备高质量ZnO薄膜的关键。现有衬底材料为玻璃、硅单晶、白宝石、石英、氧化锌陶瓷基片和ScAlMgO4(0001)，或因晶格失配率高，或因成分相差太大，造成薄膜晶体结构缺陷大量存在。本发明特征在于，它包括以下步骤：生长出位错密度低于400/cm2钨酸锌单晶；将上述钨酸锌单晶晶体定向，切割出(100)晶面，偏差小于1°；加工(100)晶面，平整度＜λ/4，λ＝633nm，粗糙度＜10nm；制备ZnO薄膜。本发明采用溶胶凝胶法制备的氧化锌薄膜具有特别优良的结构特性，表面平滑，取向性好，发光性能良好，光致发光波长396nm，如图所示；易于ZnO薄膜取向，并垂直(0001)晶面沿c方向生长。