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公开(公告)号：CN1887498A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610088994.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种红外激光路径上转换为可见光的显示方法，属于激光加工领域。目前激光加工中的红外光路显示及焦点调节方法主要有斜板法及垂直升降法。本发明采用合适的生长工艺生长出稀土离子掺杂的上转换晶体(6)，经退火、定向、切割、表面进行光学抛光后，将之置于工作平台(4)上，使波长在0.8μm－1.06μm范围内的一种红外激光束(2)进入上转换发光晶体(6)后转换为蓝色光束(7)，蓝色光束(7)束腰的最窄处即为焦点的位置。本发明克服了斜板法及垂直升降法的缺点，提供了一种直观、高效、可靠、经济的方法解决红外光路显示及焦点测量的问题。还可以应用于激光医学和其它需要精确观测激光光束路径和精确确定激光焦点的场合。
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公开(公告)号：CN100395380C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610076273.X
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺属于单晶生长领域。目前稀土离子在钨酸钡中掺杂浓度很低，无法做成有实用价值的激光晶体。本发明的钨酸钡单晶制备工艺，包括以下步骤：在纯度≥99.99%的钨酸钡BaWO4粉末中，加入占最后产物的摩尔百分比为0.1～5%的K2WO4粉末和摩尔百分比为0.1～10%的稀土氧化物粉末；按上述比例准确称量原料，混匀后放入坩埚，在炉中加热至熔点1475℃～1495℃，从坩埚顶部放入籽晶于熔体中，提拉、旋转，等径生长钨酸钡单晶。本发明可获得高光学质量的大尺寸单晶。同样条件下，采用本发明后稀土离子吸收系数比未掺K+时提高一倍以上；改善了发光性能，提高了效率，增大了激光的输出功率；晶体的上转换发光性能增强。
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公开(公告)号：CN1865537A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610076273.X
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺属于单晶生长领域。目前稀土离子在钨酸钡中掺杂浓度很低，无法做成有实用价值的激光晶体。本发明的钨酸钡单晶制备工艺，包括以下步骤：在纯度≥99.99％的钨酸钡BaWO4粉末中，加入占最后产物的摩尔百分比为0.1～5％的K2WO4粉末和摩尔百分比为0.1～10％的稀土氧化物粉末；按上述比例准确称量原料，混匀后放入坩埚，在炉中加热至熔点1475℃～1495℃，从坩埚顶部放入籽晶于熔体中，提拉、旋转，等径生长钨酸钡单晶。本发明可获得高光学质量的大尺寸单晶。同样条件下，采用本发明后稀土离子吸收系数比未掺K+时提高一倍以上；改善了发光性能，提高了效率，增大了激光的输出功率；晶体的上转换发光性能增强。
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