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公开(公告)号：CN111747383B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202010444535.3
申请日：2020-05-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B19/00
Abstract: 一种Ruddlesden‑Popper层状钙钛矿结构单相铁电光伏材料涉及新型功能材料领域。Ruddlesden‑Popper层状钙钛矿结构单相铁电材料其化学式为Sr3Hf2Se7，其晶体结构为正交钙钛矿结构，属于正交晶系，空间群为A21am，晶胞参数其铁电极化来源于HfSe6八面体旋转导致的离子位移，其铁电极化方向为 方向，铁电极化值为10.53μC/cm2，相比同类材料，其铁电极化值可能提3‑4倍，能带带隙小于同类材料。
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公开(公告)号：CN111031651B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201911329025.5
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 一种等离子体束流密度分布的测量方法，属于等离子体诊断技术领域。由偏压极板、若干法拉第筒和底板组成。所述偏压极板在每个法拉第筒的轴线位置开设有采集孔，所述偏压极板在边缘端部位置开设有导线连接孔，所述偏压极板经偏压电路接地，使偏压极板带负电，所述偏压极板与法拉第筒的接触面有绝缘涂层；所述法拉第筒内壁有导电薄膜，但不与偏压极板接触，与偏压极板之间留有缝隙，所述法拉第筒下端面有导电薄膜，与下层底板凹槽的导电材料接触引出电路，所述上层底板有固定孔。通过偏压电路10中电流表测得的电流信号I，由电子束通量计算公式Flux计算可得电子束通量，即束流密度。即可测密度分布也可测形状。
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公开(公告)号：CN111218657A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010009169.9
申请日：2020-01-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法，属于高熵合金薄膜材料技术领域。为WTaCrVTiZrAl七元高熵合金，各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W 10-40％，Ta 5-30％，Cr 5-25％，V 5-15％，Ti 5-15％，Zr 5-25％，Al 5％-20％，该合金为非晶相，其X射线衍射(XRD)半峰宽均大于3°。本发明不用低温就能制备高熵非晶合金材料，采用常规的合金薄膜的制备方法如磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发等。
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公开(公告)号：CN111206236A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010024893.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/511 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法。本发明提出采用元素掺杂的方法实现了GaN纳米线制备及其结构与形貌的调控。本发明采用MPCVD系统，以N2为N源，Ga2O3作为Ga源，MgO作为掺杂源，选择合适的还原剂防止氧化，选择合适工艺参数，通过调控Mg：Ga原子比例，可实现所制备的GaN纳米线截面在三方、四方及六方形结构进行调控。通过Mg掺杂调控实现了在常规GaN纳米线制备方法难以获得的四方形GaN纳米线，所制备的纳米线具有良好的结晶质量，在新型的GaN纳米线光电器件上具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111128712A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911334860.8
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法，属于材料表面处理领域。金属辅助化学刻蚀法的基本原理就是在金属颗粒/刻蚀剂/硅中自发的进行原电池反应，其中常用的金属颗粒有Au、Ag、Pt等贵金属材料，本发明主要以Ag为例作说明。以Ag颗粒为阴极发生还原反应，硅片为阳极发生氧化反应。随着反应不断进行，完成硅片抛光。本发明采用Ag颗粒(50nm～1mm)并且在实验中加上搅拌条件，使Ag颗粒和凹凸不平的硅片一起在刻蚀剂中搅拌转动，转动过程中，硅片凸起部分接触到Ag颗粒就会被刻蚀，从而达到抛光的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109147984B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810821283.4
申请日：2018-07-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G21K1/06
Abstract: 一种提高表面耐强束脉冲热疲劳的方法，属于高强脉冲束源应用领域，适用于承受强热脉冲载荷的元件工作表面。元件工作表面由许多的垂直于表面的微细条状排列结构组成，则：其应力状态表现为小尺度效应特点，热应力显著减小；XFEL束在表层产生的二次电子大多会通过细条间隙逸出到元件表面之外，减小表层热量吸收；表层平均密度降低，XFEL穿透更深，减小表层温度梯度。因此，本发明方法从降低热应力、热吸收和温度梯度这三个方面同时产生作用，可显著降低元件表面热疲劳损伤。
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公开(公告)号：CN106810234B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201710040122.7
申请日：2017-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01F1/36 , C04B35/26 , C04B35/645
Abstract: 一种立方钙钛矿结构单相多铁材料，涉及新型功能材料领域。立方钙钛矿结构单相多铁材料其化学式为BiMn3Fe4O12，其晶体结构为立方钙钛矿结构，属于立方晶系，空间群为IM‑3，晶胞参数为其磁结构为共线的G型反铁磁构型(即在a、b、c三个方向均为反铁磁耦合)，其铁电极化方向为 方向，铁电极化值为39～220μC/m2，相比同类材料，其铁电极化值可提高一个数量级以上。
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公开(公告)号：CN106983517B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710205521.4
申请日：2017-03-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61B5/1468
Abstract: 本发明公开了一种无酶纳米柔性血糖微传感器及其制备方法，包括：柔性基底、电极结构、传感层和离子选择性亲水保护层。柔性基底具有良好的温度适应性(‑10‑300℃)，电极结构导电性能优异且抗酸碱腐蚀，葡萄糖检测微沟道(沟道长度小于10mm，宽度10μm‑500μm)为纳米材料织构组成，柔韧性好，灵敏度高，在葡萄糖浓度(1‑28mmol/L)范围呈现线性相关性，具有良好的可逆性与重复性，亲水耐磨薄膜具有良好的离子透过特性、强的吸水特性与保护传感层的作用。本发明血糖传感器无毒无害，接触人体皮肤舒适不过敏，其总体结构不超过1cm2，可通过电流响应实现人体血液血糖值(1‑28mmol/L)的原位实时测量与分析。
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公开(公告)号：CN106950259B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710205564.2
申请日：2017-03-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线织构柔性生物pH传感器及其制备方法，包括柔性基底，微沟道电极结构，电极引线，纳米线织构敏感层，离子选择透过膜；柔性衬底上通过模板法制备两个相对的电极组成沟道结构，电极通过引线与外部连接；电极沟道区域内制备织构化纳米线材料作为pH敏感层；离子选择透过膜覆盖于电极表面。本发明pH传感器通过结构设计将纳米线敏感材料置于衬底、两个电极组成的沟通以及上方的离子选择透过膜的完全包覆中，解决了产品设计中无机非金属纳米线材料在柔性穿戴式传感器中易磨损、易受干扰的问题，可实现人体体液pH值得原位实时测量与分析。
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公开(公告)号：CN104362250B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410542348.3
申请日：2014-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于磁性材料领域，提供一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结，以La0.7Sr0.3MnO3作为铁磁层及底电极层，掺杂有Ba、Ca、Sr、Pb中的一种或多种的BiFeO3作为反铁磁层，钙钛矿结构的铝酸镧、钛酸锶或镓酸钕单晶为衬底。本发明还提出所述铁磁/反铁磁异质结的制备方法。本发明提出的材料具有明显的电致阻变性能，在同一电场强度下具有两个不同的电阻状态，通过循环多次测量E‑I曲线可知，两个电阻状态保持较好，材料具有较好的耐疲劳性能。对材料的P‑E曲线分析，材料具有较好的铁电性，在电场强度为60KV/cm时，材料的剩余极化强度为Pr＝2.85μC/cm2。
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