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公开(公告)号：CN112180346B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010840647.0
申请日：2020-08-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01S7/497
Abstract: 本发明涉及一种激光雷达测距精度环境可靠性检测方法。本发明首先提出了激光雷达测距误差检测平台的设置，通过将直线位移台、反射平板、激光跟踪仪及反射靶球结合，可以精确检测激光雷达测距误差。其次，本发明提出了激光雷达测距精度环境可靠性评价公式，通过模拟激光雷达不同工况下的使用环境并对其测距精度进行检测，可以对不同型号及原理的激光雷达进行测距精度可靠性定量评价。本发明在激光雷达的测距精度检测方面提供了新的方法和手段，在激光雷达的质量检测领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111206236A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010024893.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/511 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法。本发明提出采用元素掺杂的方法实现了GaN纳米线制备及其结构与形貌的调控。本发明采用MPCVD系统，以N2为N源，Ga2O3作为Ga源，MgO作为掺杂源，选择合适的还原剂防止氧化，选择合适工艺参数，通过调控Mg：Ga原子比例，可实现所制备的GaN纳米线截面在三方、四方及六方形结构进行调控。通过Mg掺杂调控实现了在常规GaN纳米线制备方法难以获得的四方形GaN纳米线，所制备的纳米线具有良好的结晶质量，在新型的GaN纳米线光电器件上具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112180346A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010840647.0
申请日：2020-08-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01S7/497
Abstract: 本发明涉及一种激光雷达测距精度环境可靠性检测方法。本发明首先提出了激光雷达测距误差检测平台的设置，通过将直线位移台、反射平板、激光跟踪仪及反射靶球结合，可以精确检测激光雷达测距误差。其次，本发明提出了激光雷达测距精度环境可靠性评价公式，通过模拟激光雷达不同工况下的使用环境并对其测距精度进行检测，可以对不同型号及原理的激光雷达进行测距精度可靠性定量评价。本发明在激光雷达的测距精度检测方面提供了新的方法和手段，在激光雷达的质量检测领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113903932B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110998596.9
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种三维碳结构负载铂催化剂及其制备方法属于燃料电池催化剂技术领域。本方法由以下步骤组成：1)多种结构碳基材料通过前处理工艺得到三维碳结构粉体；2)将三维结构碳粉、六羟基合铂酸二(乙醇铵)水溶液、乙醇、去离子水混合均匀得到初级反应液；3)使用NaOH调节初级反应液至合适pH，加热反应制备三维碳结构负载Pt；4)通过煅烧手段得到三维碳结构负载Pt催化剂初级产物；5)采用等离子体增强化学气相沉积系统进行等离子体处理得到最终的三维碳结构负载Pt催化剂。本发明所制备的三维碳结构负载Pt催化剂质量活性大于350mA/mgPt@0.9V，10000圈老化测试后，其质量活性衰减小于10％。
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公开(公告)号：CN113764688B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110997157.6
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种三维碳结构负载GaN催化剂及其制备方法属于燃料电池催化剂技术领域。本方法由以下步骤组成：1)多种结构碳基材料通过前处理工艺得到三维碳结构粉体；2)将三维结构碳粉体进行等离子体处理，得到表面活化的三维结构碳粉；3)采用微波等离子体化学气相沉积系统制备GaN纳米材料；4)将GaN纳米材料转移至泡沫镍电极表面，在水溶液中对三维碳结构进行静电吸附；5)将吸附GaN纳米材料的三维碳结构进行退火处理，得到三维碳结构负载GaN催化剂。本发明所制备的三维碳结构负载GaN催化剂质量活性大于100mA/mgGaN@0.9V，10000圈老化测试后，其质量活性衰减小于20％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109825843B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910078164.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/052 , C25B11/075 , C30B28/14 , C30B29/40 , C30B29/62 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于多晶GaN纳米线的自支撑电催化制氢电极，属于电催化制氢领域。本发明利用化学气相沉积方法，制备的多晶GaN纳米线/基底材料的结构可以直接作为为电催化制氢电极，无需任何催化剂负载或表面修饰即可用于电催化制氢，并表现出优异的电催化制氢性能。多晶GaN纳米线直径为90‑200nm，长度为4‑30μm，表面形貌粗糙，表现为金字塔岛状结构，同时具有丰富的缺陷与垂直于纳米线轴向的突起结构能够在电解水的催化过程中提供大量的活性位点，有利于电解液的扩散和气体的产生与脱附。本发明首次提出利用多晶GaN纳米线作为电催化析氢材料，这为探索新型电催化材料提供了崭新思路，也为研发已实现大规模生产的商用材料的新型性能开辟了新的道路。
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公开(公告)号：CN116892029A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310759819.5
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25B1/23 , C25B11/095 , C25B11/052 , C25B1/50
Abstract: 本发明公开了金属有机骨架材料包裹铜锌双金属催化剂及其制备方法和应用，具体公开了使用金属有机骨架材料对铜锌金属纳米颗粒进行包裹，该双金属催化剂具有夹心结构，所述金属有机骨架材料为ZIF‑8、UIO‑66或MIL‑101。在制备双金属催化剂的过程中，首先制得铜锌纳米颗粒，然后使用金属有机骨架材料对铜锌纳米颗粒进行包裹，制得的催化剂表面有效金属活性位点数增加，大大提升催化效率。本发明在制备双金属催化剂中引入了金属有机骨架材料，该材料具有高的比表面积和独特的孔道结构，抑制了金属纳米颗粒的团聚，大大提高金属纳米颗粒的分散度，提高催化剂表面活性位点的数目，有利于提高反应转化率。
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公开(公告)号：CN115000244B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210608052.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/108
Abstract: 一种高性能自驱动GaN纳米线紫外探测器的制作方法涉及半导体光电探测领域，包括：(1)对绝缘衬底进行抛光，清洗后进行等离子体高温氮化处理；(2)生长多晶GaN纳米线；(3)设计非对称叉指电极，其中非对称叉指电极两级面积差介于0.3‑5mm2，叉指电极之间的指间距为50‑300μm，指宽为50‑200μm，整体叉指电极模块的长为1‑9mm，宽为1.5‑13mm。(4)将掩模版放置在GaN样品上，进行冷溅射。本发明利用制备非对称电极导致耗尽层宽度不同从而形成内建电势差，电势差大于0.1eV,以此促进电子空穴对分离提高紫外响应速度，其光响应时间、恢复时间小于1ms；光响应度大于30mW/cm2，探测率大于1012Jones。
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公开(公告)号：CN111206236B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010024893.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/02 , C23C16/511 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法。本发明提出采用元素掺杂的方法实现了GaN纳米线制备及其结构与形貌的调控。本发明采用MPCVD系统，以N2为N源，Ga2O3作为Ga源，MgO作为掺杂源，选择合适的还原剂防止氧化，选择合适工艺参数，通过调控Mg：Ga原子比例，可实现所制备的GaN纳米线截面在三方、四方及六方形结构进行调控。通过Mg掺杂调控实现了在常规GaN纳米线制备方法难以获得的四方形GaN纳米线，所制备的纳米线具有良好的结晶质量，在新型的GaN纳米线光电器件上具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113764688A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110997157.6
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种三维碳结构负载GaN催化剂及其制备方法属于燃料电池催化剂技术领域。本方法由以下步骤组成：1)多种结构碳基材料通过前处理工艺得到三维碳结构粉体；2)将三维结构碳粉体进行等离子体处理，得到表面活化的三维结构碳粉；3)采用微波等离子体化学气相沉积系统制备GaN纳米材料；4)将GaN纳米材料转移至泡沫镍电极表面，在水溶液中对三维碳结构进行静电吸附；5)将吸附GaN纳米材料的三维碳结构进行退火处理，得到三维碳结构负载GaN催化剂。本发明所制备的三维碳结构负载GaN催化剂质量活性大于100mA/mgGaN@0.9V，10000圈老化测试后，其质量活性衰减小于20％。
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