一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器

    公开(公告)号:CN113078479B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202110403946.2

    申请日:2021-04-15

    Abstract: 一种基于复合硅半球/石墨烯宽带太赫兹超材料吸收器,属于超材料及电磁功能材料技术领域。该太赫兹超材料吸收器,包括金属反射层、介质层、石墨烯层和硅半球层。所述金属反射层为一层连续的金属薄膜,其厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度;介质层位于金属反射层和石墨烯层之间,为聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜;未图案化的石墨烯层之上负载着硅半球层,由复合的半椭球和半圆球周期性排列而成,且每个周期包含旋转对称的四个半椭球和中心的一个半圆球结构。本发明通过合理设计硅半球的几何尺寸以及石墨烯外加电压值,可以实现对垂直入射到超材料表面的电磁波完全吸收的特性。本发明结构简单、无需多层叠加结构,且具有宽频带高吸收的特性。

    一种负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料的自还原制备方法

    公开(公告)号:CN109682865B

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN201910010883.7

    申请日:2019-01-07

    Abstract: 本发明公开了一种负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料的自还原制备方法。将柠檬酸钠碱性水溶液与氯化亚锡乙醇溶液混合,置于反应釜中加热至180℃反应12小时,产物洗涤干燥后得到花状四氧化三锡粉末。将其分散至去离子水中,加入氯金酸溶液,利用四氧化三锡自身的还原性将其还原为金纳米颗粒,搅拌后清洗产物并干燥。最后经煅烧处理后得到负载金纳米颗粒的二氧化锡纳米花气敏材料。本发明方法简单、反应条件温和、可工业化,制备的二氧化锡纳米花尺寸均匀,比表面积高。本发明与传统方法相比简化了实验步骤并节约了成本,负载的金颗粒尺寸小、分布均匀且无团聚。负载金颗粒后二氧化锡纳米花对乙醇表现出更优异的气敏性能。

    一种砷化镓/石墨烯复合超材料太赫兹宽带吸收器

    公开(公告)号:CN113809544B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202111126379.7

    申请日:2021-09-26

    Abstract: 一种砷化镓/石墨烯复合动态可调宽带太赫兹超材料吸收器,属于超材料及电磁功能材料领域。该吸收器分为上下两个部分,上部分由砷化镓(GaAs)/石墨烯超材料层,介电层与半导体GaAs层三部分组成;下部分包括十字石墨烯层,介电层和底层金属反射层三部分。金属反射层为一层连续的金属薄膜,厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度;介质层为二氧化硅材料。顶层图形由石墨烯十字与四个大小相同的GaAs方框锁构成;第四层为与顶层尺寸不同的石墨烯十字阵列。本发明通过对石墨烯与GaAs层的尺寸优化与电压调控,实现对垂直入射电磁波的完全吸收。本发明结构简单且具有宽频带高吸收频率可调的特性,可用于太赫兹波段电磁波的收集和探测装置。

    一种Ruddlesden-Popper层状钙钛矿结构单相铁电光伏材料

    公开(公告)号:CN111747383B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202010444535.3

    申请日:2020-05-23

    Abstract: 一种Ruddlesden‑Popper层状钙钛矿结构单相铁电光伏材料涉及新型功能材料领域。Ruddlesden‑Popper层状钙钛矿结构单相铁电材料其化学式为Sr3Hf2Se7,其晶体结构为正交钙钛矿结构,属于正交晶系,空间群为A21am,晶胞参数其铁电极化来源于HfSe6八面体旋转导致的离子位移,其铁电极化方向为 方向,铁电极化值为10.53μC/cm2,相比同类材料,其铁电极化值可能提3‑4倍,能带带隙小于同类材料。

    一种超薄宽带RCS缩减编码电磁超表面

    公开(公告)号:CN114336076A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202210035426.5

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种超薄宽带编码RCS缩减超表面,涉及人工电磁超材料技术领域,由反射幅度相同,反射相位相差为180°的两种超表面单元按照PSO算法得到的优化规律排列组成。本发明基于阵列理论考虑设计两种AMC结构进行复合,从而有效拓宽RCS减缩作用带宽;根据相位相消原理,并使用粒子群(PSO)优化算法进行优化设计获得一种超薄超宽带的编码RCS缩减超表面;两种超表面基本单元相位差在全作用带宽(21‑35GHz)达到180°±1°,从而使该编码电磁超表面实现相对带宽达到47.2%、缩减效果超过10dB的优异性能。

    一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法

    公开(公告)号:CN111206236A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010024893.9

    申请日:2020-01-10

    Abstract: 本发明涉及一种Mg掺杂GaN纳米线结构的制备方法。本发明提出采用元素掺杂的方法实现了GaN纳米线制备及其结构与形貌的调控。本发明采用MPCVD系统,以N2为N源,Ga2O3作为Ga源,MgO作为掺杂源,选择合适的还原剂防止氧化,选择合适工艺参数,通过调控Mg:Ga原子比例,可实现所制备的GaN纳米线截面在三方、四方及六方形结构进行调控。通过Mg掺杂调控实现了在常规GaN纳米线制备方法难以获得的四方形GaN纳米线,所制备的纳米线具有良好的结晶质量,在新型的GaN纳米线光电器件上具有良好的应用前景。

    一种砷化镓/石墨烯复合超材料太赫兹宽带吸收器

    公开(公告)号:CN113809544A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202111126379.7

    申请日:2021-09-26

    Abstract: 一种砷化镓/石墨烯复合动态可调宽带太赫兹超材料吸收器,属于超材料及电磁功能材料领域。该吸收器分为上下两个部分,上部分由砷化镓(GaAs)/石墨烯超材料层,介电层与半导体GaAs层三部分组成;下部分包括十字石墨烯层,介电层和底层金属反射层三部分。金属反射层为一层连续的金属薄膜,厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度;介质层为二氧化硅材料。顶层图形由石墨烯十字与四个大小相同的GaAs方框锁构成;第四层为与顶层尺寸不同的石墨烯十字阵列。本发明通过对石墨烯与GaAs层的尺寸优化与电压调控,实现对垂直入射电磁波的完全吸收。本发明结构简单且具有宽频带高吸收频率可调的特性,可用于太赫兹波段电磁波的收集和探测装置。

    一种碳微纳球结构及超级电容器的制备方法

    公开(公告)号:CN110112013B

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN201910451363.X

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 本发明提供了一种基于碳微纳球结构及超级电容器的制备方法,将多活性位点衬底放入微波等离子体化学气相沉积系统的反应腔体中,设置如下参数:反应腔压:10‑100torr;温度700℃‑900℃;N2流速50‑150cm3/min;H2流速20‑100cm3/min;碳源气体流速1‑20cm3/min;偏压负200‑负50V;微波功率为500‑1500W,调节设备阻抗旋钮至得到不闪烁的橙黄色辉光等离子体气体,反应1‑6h,最终得到碳微纳球材料。碳微纳米球形貌丰富,直径4‑15μm,电容性能良好,电压窗口为‑0.5V‑‑0.5V时,可到达116mF/cm2。采用石墨类衬底作为集流体,增强材料电容性能,提升材料与衬底接触稳定性,原材料廉价易得,方法简单,性能稳定,具有高重复性。

    一种碳微纳球结构及超级电容器的制备方法

    公开(公告)号:CN110112013A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910451363.X

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 本发明提供了一种基于碳微纳球结构及超级电容器的制备方法,将多活性位点衬底放入微波等离子体化学气相沉积系统的反应腔体中,设置如下参数:反应腔压:10-100torr;温度700℃-900℃;N2流速50-150cm3/min;H2流速20-100cm3/min;碳源气体流速1-20cm3/min;偏压负200-负50V;微波功率为500-1500W,调节设备阻抗旋钮至得到不闪烁的橙黄色辉光等离子体气体,反应1-6h,最终得到碳微纳球材料。碳微纳米球形貌丰富,直径4-15μm,电容性能良好,电压窗口为-0.5V--0.5V时,可到达116mF/cm2。采用石墨类衬底作为集流体,增强材料电容性能,提升材料与衬底接触稳定性,原材料廉价易得,方法简单,性能稳定,具有高重复性。

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