公开(公告)号：CN108054086A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711277106.6

申请日：2017-12-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  申高亮 ,  严辉 ,  李黄经纬 ,  李松宇 ,  刘北云 ,  庞玮 ,  李景峰 ,  王光耀 ,  陈永锋 ,  邓文杰

IPC: H01L21/04 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。

公开(公告)号：CN108054086B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201711277106.6

申请日：2017-12-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  申高亮 ,  严辉 ,  李黄经纬 ,  李松宇 ,  刘北云 ,  庞玮 ,  李景峰 ,  王光耀 ,  陈永锋 ,  邓文杰

IPC: H01L21/04 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。

公开(公告)号：CN106226672B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201610622182.5

申请日：2016-08-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭伟玲 ,  陈艳芳 ,  孙捷 ,  李松宇

IPC: G01R31/26

Abstract: GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，本方法通过采集所述待测GaN基HEMT器件在不同高低温冷热冲击次数下的转移特性曲线、栅泄漏电流特性曲线和热阻值。根据不同冷热冲击次数下的转移特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随着冷热冲击次数增加的变化关系。根据不同冷热冲击次数下的栅泄漏特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件的某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化关系。根据所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的热阻值，获得待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数增加的变化关系，从而获得所述待测GaN基HEMT器件的热特性变化关系，利于发现其设计与工艺问题，提高其器件的热可靠性。

公开(公告)号：CN106226672A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610622182.5

申请日：2016-08-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭伟玲 ,  陈艳芳 ,  孙捷 ,  李松宇

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2642

Abstract: GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，本方法通过采集所述待测GaN基HEMT器件在不同高低温冷热冲击次数下的转移特性曲线、栅泄漏电流特性曲线和热阻值。根据不同冷热冲击次数下的转移特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随着冷热冲击次数增加的变化关系。根据不同冷热冲击次数下的栅泄漏特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件的某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化关系。根据所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的热阻值，获得待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数增加的变化关系，从而获得所述待测GaN基HEMT器件的热特性变化关系，利于发现其设计与工艺问题，提高其器件的热可靠性。

公开(公告)号：CN113990979A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111132529.5

申请日：2021-09-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  龚帆 ,  陈小青 ,  李松宇

IPC: H01L31/113 ,  G01J1/42

Abstract: 一种光探测‑光存储一体器件，涉及光电探测器技术领域。其中，所述器件结构从下至上依次包括：衬底、第一绝缘层、光吸收层、电极。其中衬底是由导电层/第二绝缘层组成的双层结构，光吸收层为二维材料，第一绝缘层为二维绝缘材料。通过这样的器件结构和材料选择我们在单一器件中同时实现了光探测和光存储功能。