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公开(公告)号：CN113990979A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111132529.5
申请日：2021-09-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , G01J1/42
Abstract: 一种光探测‑光存储一体器件，涉及光电探测器技术领域。其中，所述器件结构从下至上依次包括：衬底、第一绝缘层、光吸收层、电极。其中衬底是由导电层/第二绝缘层组成的双层结构，光吸收层为二维材料，第一绝缘层为二维绝缘材料。通过这样的器件结构和材料选择我们在单一器件中同时实现了光探测和光存储功能。
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