公开(公告)号：CN108054086B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201711277106.6

申请日：2017-12-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  申高亮 ,  严辉 ,  李黄经纬 ,  李松宇 ,  刘北云 ,  庞玮 ,  李景峰 ,  王光耀 ,  陈永锋 ,  邓文杰

IPC: H01L21/04 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。

公开(公告)号：CN108054086A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711277106.6

申请日：2017-12-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  申高亮 ,  严辉 ,  李黄经纬 ,  李松宇 ,  刘北云 ,  庞玮 ,  李景峰 ,  王光耀 ,  陈永锋 ,  邓文杰

IPC: H01L21/04 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。