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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1176369C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03123988.9
申请日：2003-06-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 绝缘材料荷电的测试方法涉及一种利用扫描电子显微镜对绝缘材料表面荷电的测量及评价方法。本发明是采用扫描电镜扫描样品，在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中，由皮安-电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流Ia，检测非导电样品在入射电子辐照下引起的荷电现象；通过调整数据流的收集参数，包括积分时间、步长和信号收集时间，保证采集一帧图像与收集一帧扫描图像的吸收电流基本同步；各扫描点的吸收电流Ia值通过计算机进行实时存储和处理，用以判断非导电样品表面的荷电效应；并根据评价用来优化扫描电镜的工作条件，评价非导电样品表面导电膜的质量。达到减小及消除非导电材料的荷电效应，提高图像质量和分析精度等目的。
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公开(公告)号：CN1587978A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410078331.3
申请日：2004-09-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本发明涉及一种在扫描电子显微镜中，注入微量氧气，在氧环境中对非导电材料直接进行观察和分析的方法及系统。特征在于：在扫描样品前，将微量活性氧气注入样品室内，以减小和消除非导电样品荷电现象。注入氧气前先选择真空模式，氧气通过减压阀减压，用真空计和真空规监测样品室内的真空度，由针阀继续降低氧气流量；注入的氧气对扫描电镜系统真空度的影响非常小，实现了在不同真空模式下的氧环境观察条件；配合氧环境扫描电子显微方法的氧气微注入系统设置在样品室侧壁上，主要包括有供气回路、真空检测系统及吸收电流测试系统。本发明完成了简便而有效地消除氧化物、氢氧化物等类非导电样品进行电子显微分析时产生荷电效应的目的。
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公开(公告)号：CN1235204A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN99107453.X
申请日：1999-05-21
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明涉及一种多晶织构银基带及其制备方法和应用,属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜的制备技术领域。本发明多晶织构银基带具有单组分{110}双轴织构或立方织构。对于单组分{110}双轴织构,采用冷轧及再结晶退火的方法,对于单组分立方织构,采用温轧及再结晶退火的方法,都可得到多晶织构银基带。不加过渡层,直接在多晶织构银基带上沉积超导薄膜,Jc值可达(2～6)×105A/cm2(77K,OT)。
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公开(公告)号：CN1453575A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03123988.9
申请日：2003-06-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 绝缘材料荷电的测试方法涉及一种利用扫描电子显微镜对绝缘材料表面荷电的测量及评价方法。本发明是采用扫描电镜扫描样品，在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中，由皮安－电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流Ia，检测非导电样品在入射电子辐照下引起的荷电现象；通过调整数据流的收集参数，包括积分时间、步长和信号收集时间，保证采集一帧图像与收集一帧扫描图像的吸收电流基本同步；各扫描点的吸收电流Ia值通过计算机进行实时存储和处理，用以判断非导电样品表面的荷电效应；并根据评价用来优化扫描电镜的工作条件，评价非导电样品表面导电膜的质量。达到减小及消除非导电材料的荷电效应，提高图像质量和分析精度等目的。
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公开(公告)号：CN1076126C
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN99107453.X
申请日：1999-05-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L39/24
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明涉及一种多晶织构银基带的制造方法，属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜的制备技术领域。本发明提供的单组分｛110｝双轴织构银基带的制造方法，采用冷轧及再结晶退火的方法；单组分立方织构银基带的制造方法，采用温轧及再结晶退火的方法，都可得到多晶织构银基带。采用上述银带为基带，进行表面清洗后，采用准分子激光方法在其上直接沉积超导薄膜。
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