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公开(公告)号：CN118504629A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410641718.2
申请日：2024-05-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06N3/06 , G06N3/049 , G11C11/401
Abstract: 本申请公开了一种动态随机存储器、神经元行为模拟系统和方法，动态随机存储器包括多个神经元模型电路、工作控制电路和数据保持电路。每个神经元模型电路包括神经元电路，神经元电路包括第一开关管、储能电容和放电重置电路，工作控制电路用于通过控制第一开关管的导通或关闭来控制神经元电路的工作状态，当第一开关管导通且接收刺激电流时对储能电容进行蓄能；当储能电容蓄能获取的电压值大于一预设阈值时，放电重置电路输出脉冲信号并对储能电容的蓄能进行放电重置。由于采用控制开关管开关的方式控制蓄能电容来模拟神经元行为，使得用于脉冲神经网络运算的装置计算速度更快、更节能，相比通过忆阻器来实现神经元行为模拟的方式更稳定、更可靠。
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公开(公告)号：CN116942166A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310686201.0
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: A61B5/263 , A61B5/00 , A61B5/1473 , A61B5/145
Abstract: 一种生物兼容的人机接口系统、制造方法以及监测设备，人机接口系统包括：衬底，衬底为离体的生物组织；有机缓冲层，形成在衬底上，有机缓冲层的顶面为平坦的平面，有机缓冲层为生物兼容的有机材料；隔离层，形成在有机缓冲层上，隔离层为生物兼容的绝缘材料，隔离层具有连通至有机缓冲层的电极窗口；电极层形成在隔离层上，且通过电极窗口与有机缓冲层接触，且至少具有两个触点；电极层用于通过触点采集有机缓冲层中的生物电信号，电极层为生物兼容的导电材料；电磁线圈，与电极层电连接，用于通过电磁感应与外部设备进行无线通讯，通过电磁感应接收外部设备提供的电能，电磁线圈为生物兼容的导电材料。本申请生物电信号能够进行监测。
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公开(公告)号：CN116322237A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310185939.9
申请日：2023-02-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种生物兼容材料双层薄膜电池及其制作方法，通过由衬底、底电极、带相反电荷离子掺杂生物兼容材料双层薄膜、以及顶电极组成的堆栈结构。通过阴阳离子掺杂生物兼容材料薄膜，双层薄膜的界面区域会形成类似p‑n结附近的内建电场，阴阳离子在这种类内建电场的作用下，通过扩散，分别向上下两个电极移动，形成离子电压。其整体制备过程采用磁控溅射，制备电极与阴阳离子掺杂双层薄膜，结构简单，易于制备。所得到的电池器件可供能于生物突触启动电压级别器件，并具有生物可兼容性，可作为生物兼容性集成电路系统供能单元，驱动生物兼容集成电路系统稳定运作，符合柔性生物电子器件、生物植入芯片与生物电信号监测等方向的发展趋势和需求。
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公开(公告)号：CN113871298A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110985825.3
申请日：2021-08-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/322 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种半导体器件超临界处理方法，通过提供一半导体器件以及第二物质，第二物质为含碳元素以及氢元素的化合物；获取超临界态的第二物质；通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见，利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性，通过超临界态的第二物质进入半导体结构中，第二物质或第二物质的元素与半导体结构中晶体缺陷产生的悬挂键键合，起到对晶体缺陷的修复作用，降低晶体缺陷对半导体器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN108597706B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810123723.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01C17/232
Abstract: 一种电阻TCR调零方法,包括：将正热敏电阻和负热敏电阻进行分类，选出负热敏电阻；将负热敏电阻置于压强小于10‑13tor、温度为500‑900℃的条件下进行持续50‑70秒的退火对负热敏电阻进行退火处理，由于退火过程会使电阻TCR上升，获得TCR趋近于零的稳定电阻。本发明对TCR不合格的电阻进行调零处理，得到TCR趋近于零的稳定电阻，降低生产成本，减少环境污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119400699A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411979818.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Inventor： 张冠张
IPC: H01L21/322 , H01L21/46 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种修复材料缺陷的方法、设备，属于材料处理技术领域，修复材料缺陷的方法包括：将待修复物放置在反应容器内，向反应容器注入流体态介质，流体态介质至少覆盖待修复物；调节反应容器内的压力和温度，使反应容器内的压力达到预设压力、温度达到预设温度；静置预设时长以对待修复物进行等静压处理，利用预设压力和预设温度下的流体态介质对待修复物的缺陷进行修复。在适宜的温度和压强下，通过流体态介质对待修复物进行等静压处理后，以实现对待修复物缺陷的精准修复。
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公开(公告)号：CN116314342A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310231489.2
申请日：2023-03-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件结构及其制造方法，在其结构中，在基底中形成有凹槽，并且将器件中比较重要的结构部分例如第一电极层设置在凹槽内，再在凹槽的上方形成其他器件结构部件例如第二电极层，形成嵌入式的结构，嵌入式技术运用了削弱电子器件内部结构中的寄生效应、规整化整体器件的堆叠结构、改善对于光电信号的响应程度等原理，旨在对现有存在的各类电子器件进行结构与性能上的双重优化，通过研究其能够进行改善的出发点改善其透光率、工作电压区间、开关速度、能源利用率等等重要指标，综合传统的工艺简单的优点以及自对准顶栅结构，使得保障器件的尺寸微缩优点，同时能够提升器件的载流子迁移率、开关速度以及开态电流等性能。
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公开(公告)号：CN113591019A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110667924.7
申请日：2021-06-16
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供的一种解方程的方法、系统和存储介质，在坐标系中，对待解方程组中每个方程的曲线上的点赋予一个强度；其中，点的强度随时间逐渐衰减，且可叠加；预设时间后，获取所述每个方程的曲线上的点的强度；曲线的交点处即为方程组的解，由于点的强度可叠加，交点处的强度较高，而所有点的强度以相同的速率衰减，故将强度最大的点作为所述待解方程组的解。可见，本发明无需迭代计算，利用强度随时间逐渐衰减的特点，只需等待一定的时间即可得到待解方程组的解，而且跟待解方程组的复杂程度无关，功耗很低。
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公开(公告)号：CN116996066A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310823462.2
申请日：2023-07-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种低功耗数模转换器件、数模转换系统以及方法，数模转换器件包括：第一电极，第一电极为导电材料；第一电极被配置为接收外部输入的数字信号，数字信号具有高电平段与低电平段，在高电平段与低电平段之间具有预设时长的上升沿和/或下降沿；第二电极，第二电极为导电材料；形成在第一电极与第二电极之间的中间层，中间层分别与第一电极与第二电极电连接；中间层为具有极性键的有机物，中间层被配置将数字信号转换为模拟信号，并通过第二电极输出。本申请可以实现低功耗的数模转换效果。
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公开(公告)号：CN116578818A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310485417.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种基于遗忘时变特性求解方程的方法及系统，涉及信息技术领域。本申请的方案通过获取并识别参与计算的函数方程组，然后根据识别的函数方程组建立初始矩阵，并以初始矩阵的各个矩阵单元为坐标点建立坐标系，在坐标系中，对函数方程组的曲线所经过的目标矩阵单元施加刺激值，在施加刺激后，目标矩阵单元开始偏离预设的初始值，在撤去刺激后，目标矩阵单元由偏离状态向初始状态恢复，在遗忘过程中，选取目标时刻的遗忘矩阵，计算遗忘矩阵与初始矩阵的偏差量，得到差值矩阵，然后在差值矩阵中选取满足预设标准的矩阵单元作为方程组的解。通过采用本申请的方案，能够高效率、低能耗地实现对高自由度和高阶的复杂函数方程组的求解。
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