公开(公告)号：CN105977340B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610473854.0

申请日：2016-06-24

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  卢慧玲 ,  肖祥

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/119 ,  H01L31/0232 ,  G01T1/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法，制备方法包括：在衬底上淀积一层电极层；光刻和刻蚀电极层，形成相隔预定距离的两个栅电极；在栅电极上淀积覆盖两个栅电极的栅介质层；在栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；在栅介质层上生成分别与两个栅电极对应的有源区图形；淀积一连续的导电层覆盖两个有源区；光刻和刻蚀导电层，使得一个有源区的源区和另一个有源区的漏区电性相连；淀积钝化层；穿过钝化层制备用于将两个有源区的源漏区与外界电性连接的接触电极；在钝化层生长闪烁体层。该方案暗电流小，可提高探测的灵敏度；由于薄膜晶体管开关器件可以同时形成，因此能减少掩膜板的数量和简化工艺。

公开(公告)号：CN105977340A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610473854.0

申请日：2016-06-24

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  卢慧玲 ,  肖祥

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/119 ,  H01L31/0232 ,  G01T1/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  G01T1/20 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/119

Abstract: 一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法，制备方法包括：在衬底上淀积一层电极层；光刻和刻蚀电极层，形成相隔预定距离的两个栅电极；在栅电极上淀积覆盖两个栅电极的栅介质层；在栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；在栅介质层上生成分别与两个栅电极对应的有源区图形；淀积一连续的导电层覆盖两个有源区；光刻和刻蚀导电层，使得一个有源区的源区和另一个有源区的漏区电性相连；淀积钝化层；穿过钝化层制备用于将两个有源区的源漏区与外界电性连接的接触电极；在钝化层生长闪烁体层。该方案暗电流小，可提高探测的灵敏度；由于薄膜晶体管开关器件可以同时形成，因此能减少掩膜板的数量和简化工艺。

公开(公告)号：CN106373998A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610946324.3

申请日：2016-11-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  邵阳 ,  周晓梁 ,  张乐陶 ,  卢慧玲

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了金属氧化物薄膜晶体管的制备方法。该方法包括如下步骤：在衬底上依次制备导电薄膜和金属层A，然后经图形化得到栅极；采用阳极氧化的方法在栅极上生长绝缘介质层，覆盖栅极作为栅介质层；采用溶液法在栅介质层上生长金属氧化物半导体层；采用电镀法在金属氧化物半导体层上生长金属层B；在金属氧化半导体层和金属层B的中间位置分别制备沟道区和钝化区；在大气压条件下对沟道区内的金属氧化物半导体和钝化区内的金属分别进行阳极氧化处理，得到沟道层和钝化层；制作漏区和源区。本发明为非真空电化学方法，所需设备简单便宜，只需在室温和大气环境下进行，无需经过高温或长时间退火，是一种操作简单、低成本的低温工艺，适用于大批量生产。

公开(公告)号：CN107611032A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710717954.8

申请日：2017-08-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  梁婷 ,  周晓梁 ,  卢慧玲 ,  张晓东 ,  王刚

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管，包括衬底；形成在所述衬底上的经图形化的遮光层，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料；形成在所述遮光层以上的有源层，所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区；形成在所述有源层上的栅介质层和形成在所述栅介质层上的栅电极；以及形成在所述有源层和所述栅电极上的钝化层。本申请还提供了制备这种薄膜晶体管的方法。