公开(公告)号：CN107946195B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201710287051.0

申请日：2017-04-27

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  周晓梁 ,  卢红娟 ,  梁婷 ,  张晓东

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。

公开(公告)号：CN107946195A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710287051.0

申请日：2017-04-27

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  周晓梁 ,  卢红娟 ,  梁婷 ,  张晓东

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。

公开(公告)号：CN107611032A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710717954.8

申请日：2017-08-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  梁婷 ,  周晓梁 ,  卢慧玲 ,  张晓东 ,  王刚

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 本申请公开了一种薄膜晶体管，包括衬底；形成在所述衬底上的经图形化的遮光层，其中所述遮光层采用绝缘非金属遮光材料；形成在所述遮光层以上的有源层，所述有源层包括所述晶体管的沟道、源区和漏区；形成在所述有源层上的栅介质层和形成在所述栅介质层上的栅电极；以及形成在所述有源层和所述栅电极上的钝化层。本申请还提供了制备这种薄膜晶体管的方法。