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公开(公告)号：CN1065552A
公开(公告)日：1992-10-21
申请号：CN92103289.7
申请日：1992-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/76 , H01L21/308
Abstract: 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300至1000)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。
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公开(公告)号：CN1516257A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03100303.6
申请日：2003-01-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种将单片CMOS与体硅微机械系统集成的方法，其技术方案为：1)形成隔离槽：采用深槽刻蚀，SiO2和多晶硅填充，实现MEMS结构和CMOS电路的绝缘；2)完成隔离槽后进行标准CMOS电路的加工；3)用SiO2和Si3N4作掩膜，从背面腐蚀硅，直至暴露出隔离槽底部的SiO2，完成MEMS硅结构层的厚度控制；4)完成CMOS电路金属化和MEMS结构掩膜：MEMS结构区用铝作掩膜，CMOS电路区用厚光刻胶作掩膜，用DRIE释放硅结构。用本发明方法不仅获得了较大的质量块，而且用本发明较高的深宽比制作出的结构电容，同时实现了体硅微机械与CMOS电路的集成，显著提高MEMS传感器的精度和稳定性，具有前沿性和重要实用价值。
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公开(公告)号：CN1022526C
公开(公告)日：1993-10-20
申请号：CN92103289.7
申请日：1992-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/76 , H01L21/308
Abstract: 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1595169A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410009349.8
申请日：2004-07-16
Applicant: 北京大学
IPC: G01P3/00
Abstract: 本发明提供了一种射流角速度传感器及其制备工艺，属于微电子机械系统设计及加工领域。该传感器包括两个振动腔、四个整流腔和一个检测腔，振动腔内气体被驱动可循环，在每个振动腔两侧分别设有两个整流腔，被驱动的气体经整流腔流入检测腔，循环气体在检测腔内始终沿一个方向流动，所述检测腔内对称地放置两根热敏电阻丝，并将这两根热敏电阻丝接入一个惠斯登电桥，所述整流腔为狼牙棒流体二极管，该流体二极管是由若干规律排列的狼牙棒形挡板组成。本发明射流角速度传感器的尺度可缩小到几个毫米，真正实现了射流角速度传感器的微型化，大大扩展了射流角速度传感器的应用范围。
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公开(公告)号：CN1397986A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN01123427.X
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/3213 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种微电子工艺中的金属剥离方法。本发明是用光刻胶做掩膜，在常规曝光以后，用氯苯浸泡几分钟，在显影之前做坚膜处理，再略加过显影，使光刻胶图形呈倒角悬垂。这时根据需要进行衬底腐蚀。在此基础上淀积金属膜，用丙酮浸泡去掉光刻胶和多余的金属，完成金属剥离。此项发明使腐蚀衬底和金属剥离完全实现自对准和实现等平面工艺。它将广泛地用于MEMS和集成电路工艺中，使器件工艺简化，降低成本，提高质量。
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公开(公告)号：CN1153261C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN01123427.X
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/3213 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种微电子工艺中的金属剥离方法。本发明是用光刻胶做掩膜，在常规曝光以后，用氯苯浸泡几分钟，在显影之前做坚膜处理，再略加过显影，使光刻胶图形呈倒角悬垂。这时根据需要进行衬底腐蚀。在此基础上淀积金属膜，用丙酮浸泡去掉光刻胶和多余的金属，完成金属剥离。此项发明使腐蚀衬底和金属剥离完全实现自对准和实现等平面工艺。它将广泛地用于MEMS和集成电路工艺中，使器件工艺简化，降低成本，提高质量。
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公开(公告)号：CN1130474C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN01118153.2
申请日：2001-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: C23F1/24
Abstract: 本发明涉及一种硅腐蚀液及其制备方法。本发明用5wt.%TMAH腐蚀液，在恒温85℃左右，溶解1.4-2.0wt.%的硅，然后加入0.4-0.7wt.%的过硫酸铵，溶解后得到硅腐蚀液。在微电子机械系统加工中，该腐蚀液既能对硅有较高的腐蚀速率，又能保护金属表面，使金属不被腐蚀。对集成电路工艺没有污染。可以在集成电路完成以后腐蚀硅结构，从而完成集成电路与MEMS的工艺集成。可广泛应用于微电子机械系统加工领域。
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公开(公告)号：CN1327086A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN01118153.2
申请日：2001-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: C23F1/24
Abstract: 本发明涉及一种硅腐蚀液及其制备方法。本发明用5wt.%TMAH腐蚀液,在恒温85℃左右,溶解1.4－2.0wt.%的硅,然后加入0.4－0.7wt.%的过硫酸铵,溶解后得到硅腐蚀液。在微电子机械系统加工中,该腐蚀液既能对硅有较高的腐蚀速率,又能保护金属表面,使金属不被腐蚀。对集成电路工艺没有污染。可以在集成电路完成以后腐蚀硅结构,从而完成集成电路与MEMS的工艺集成。可广泛应用于微电子机械系统加工领域。
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