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公开(公告)号：CN1077569A
公开(公告)日：1993-10-20
申请号：CN93102116.2
申请日：1993-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/322 , H01L21/328 , H01L21/82 , H01L27/02 , H01L29/70
Abstract: 本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的。本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1065552A
公开(公告)日：1992-10-21
申请号：CN92103289.7
申请日：1992-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/76 , H01L21/308
Abstract: 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300至1000)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。
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公开(公告)号：CN1022526C
公开(公告)日：1993-10-20
申请号：CN92103289.7
申请日：1992-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/76 , H01L21/308
Abstract: 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。
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公开(公告)号：CN1028192C
公开(公告)日：1995-04-12
申请号：CN93102116.2
申请日：1993-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/322 , H01L21/328 , H01L21/82 , H01L27/02 , H01L29/70
Abstract: 本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电结电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的、本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。
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公开(公告)号：CN1017950B
公开(公告)日：1992-08-19
申请号：CN89109303.6
申请日：1989-12-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具有良好的浸锡沾润性能和很强的附着能力。实验表明，本方法显著地改善了晶体管的电学性能，热疲劳试验达3万次，达到高可靠质量要求，溅射银系工艺成本低，便于推广。
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公开(公告)号：CN1052750A
公开(公告)日：1991-07-03
申请号：CN89109303.6
申请日：1989-12-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/283 , H01L23/485
Abstract: 本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具有良好的浸锡沾润性能和很强的附着能力。实验表明，本方法显著地改善了晶体管的电学性能，热疲劳试验达3万次，达到高可靠质量要求。溅射银系工艺成本低，便于推广。
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