公开(公告)号：CN1022526C

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：CN92103289.7

申请日：1992-05-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 张利春 ,  钱钢 ,  阎桂珍 ,  王咏梅 ,  王阳元

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/308

Abstract: 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。

公开(公告)号：CN1065552A

公开(公告)日：1992-10-21

申请号：CN92103289.7

申请日：1992-05-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 张利春 ,  钱钢 ,  阎桂珍 ,  王咏梅 ,  王阳元

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/308

Abstract: 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300至1000)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。