公开(公告)号：CN1130474C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN01118153.2

申请日：2001-05-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 阎桂珍 ,  陈正豪 ,  单建安 ,  邢怡铭 ,  王阳元

IPC: C23F1/24

Abstract: 本发明涉及一种硅腐蚀液及其制备方法。本发明用5wt.%TMAH腐蚀液，在恒温85℃左右，溶解1.4-2.0wt.%的硅，然后加入0.4-0.7wt.%的过硫酸铵，溶解后得到硅腐蚀液。在微电子机械系统加工中，该腐蚀液既能对硅有较高的腐蚀速率，又能保护金属表面，使金属不被腐蚀。对集成电路工艺没有污染。可以在集成电路完成以后腐蚀硅结构，从而完成集成电路与MEMS的工艺集成。可广泛应用于微电子机械系统加工领域。

公开(公告)号：CN1327086A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN01118153.2

申请日：2001-05-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 阎桂珍 ,  陈正豪 ,  单建安 ,  邢怡铭 ,  王阳元

IPC: C23F1/24

Abstract: 本发明涉及一种硅腐蚀液及其制备方法。本发明用5wt.%TMAH腐蚀液,在恒温85℃左右,溶解1.4－2.0wt.%的硅,然后加入0.4－0.7wt.%的过硫酸铵,溶解后得到硅腐蚀液。在微电子机械系统加工中,该腐蚀液既能对硅有较高的腐蚀速率,又能保护金属表面,使金属不被腐蚀。对集成电路工艺没有污染。可以在集成电路完成以后腐蚀硅结构,从而完成集成电路与MEMS的工艺集成。可广泛应用于微电子机械系统加工领域。