公开(公告)号：CN104052472B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201410256146.2

申请日：2014-06-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  甘善良 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03L7/099

Abstract: 本发明公开了一种低相位噪声LC‑VCO，所述一种低相位噪声LC‑VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4；NMOS管Mn1、Mn2；固定电容C1、C2、Cc1、Cc2；可变电容Cvar1、Cvar2；两端电感ind；电阻R1、R2。本发明通过固定电容Cc1、Cc2将震荡电压波形耦合到并联的尾电流源的PMOS管的栅极上，采用尾电流源动态切换技术，减小了交叉耦合负阻MOS管的电流波形占空比，而且减少了尾电流源MOS管陷阱的产生，从而降低LC‑VCO的相位噪声；另外，本发明将交叉耦合负阻PMOS的衬底接到地，从而降低了交叉耦合PMOS的阈值电压，使得负阻提供的电流增大，LC‑VCO的相位噪声降低。

公开(公告)号：CN103997337B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410239798.5

申请日：2014-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  甘善良 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03L7/099

Abstract: 本发明公开了一种低功耗低相位噪声电感电容压控振荡器(LC-VCO)。本发明电感电容压控振荡器采用开关控制的并联NMOS交叉耦合负阻单元，这些开关同时控制电容阵列，使得在不同的电容阵列选通情况下，有适当的交叉耦合负阻被选通接入电路以提供振荡能量，而不必在不同的电容阵列选通情况下一直提供最大振荡能量，因此，可以降低电路功耗。另外，本发明压控振荡器采用不同偏置电压的可变电容并联组合，增加了可变电容的电容—电压线性度，从而降低了可变电容带来的相位噪声。

公开(公告)号：CN104052472A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410256146.2

申请日：2014-06-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  甘善良 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03L7/099

Abstract: 本发明公开了一种低相位噪声LC-VCO，所述一种低相位噪声LC-VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4；NMOS管Mn1、Mn2；固定电容C1、C2、Cc1、Cc2；可变电容Cvar1、Cvar2；两端电感ind；电阻R1、R2。本发明通过固定电容Cc1、Cc2将震荡电压波形耦合到并联的尾电流源的PMOS管的栅极上，采用尾电流源动态切换技术，减小了交叉耦合负阻MOS管的电流波形占空比，而且减少了尾电流源MOS管陷阱的产生，从而降低LC-VCO的相位噪声；另外，本发明将交叉耦合负阻PMOS的衬底接到地，从而降低了交叉耦合PMOS的阈值电压，使得负阻提供的电流增大，LC-VCO的相位噪声降低。

公开(公告)号：CN103997337A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410239798.5

申请日：2014-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  甘善良 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03L7/099

Abstract: 本发明公开了一种低功耗低相位噪声电感电容压控振荡器(LC-VCO)。本发明电感电容压控振荡器采用开关控制的并联NMOS交叉耦合负阻单元，这些开关同时控制电容阵列，使得在不同的电容阵列选通情况下，有适当的交叉耦合负阻被选通接入电路以提供振荡能量，而不必在不同的电容阵列选通情况下一直提供最大振荡能量，因此，可以降低电路功耗。另外，本发明压控振荡器采用不同偏置电压的可变电容并联组合，增加了可变电容的电容—电压线性度，从而降低了可变电容带来的相位噪声。

公开(公告)号：CN104052404B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410256766.6

申请日：2014-06-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  甘善良 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03B7/06 ,  H03L7/099

Abstract: 本发明涉及电感电容压控振荡器技术领域，具体涉及一种低相位噪声电感电容压控振荡器。本发明加快了交叉耦合MOS管的电流切换速度，从而减小了交叉耦合MOS管的电流波形占空比，进而降低了交叉耦合MOS管给低相位噪声电感电容压控振荡器带来的相位噪声。另外，本发明减少了后尾电流源NMOS管的陷阱数量，进一步降低低相位噪声电感电容压控振荡器的相位噪声。本发明增大交叉耦合负阻所提供的能量，进而增加谐振电路的振荡波形幅度，从而再次降低低相位噪声电感电容压控振荡器的相位噪声。

公开(公告)号：CN104052404A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410256766.6

申请日：2014-06-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  甘善良 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03B7/06 ,  H03L7/099

Abstract: 本发明涉及电感电容压控振荡器技术领域，具体涉及一种低相位噪声电感电容压控振荡器。本发明加快了交叉耦合MOS管的电流切换速度，从而减小了交叉耦合MOS管的电流波形占空比，进而降低了交叉耦合MOS管给低相位噪声电感电容压控振荡器带来的相位噪声。另外，本发明减少了后尾电流源NMOS管的陷阱数量，进一步降低低相位噪声电感电容压控振荡器的相位噪声。本发明增大交叉耦合负阻所提供的能量，进而增加谐振电路的振荡波形幅度，从而再次降低低相位噪声电感电容压控振荡器的相位噪声。