N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用

    公开(公告)号:CN112645881B

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN201910966950.2

    申请日:2019-10-12

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。N杂环卡宾及卡宾前体可作为溶液稳定、高效的n型掺杂剂实现对有机小分子及聚合物材料、碳纳米管、无机半导体等半导体材料的高效n掺杂。该类n型掺杂剂化学结构简单,易于合成及衍生化,兼备较高的掺杂效率、良好的溶液稳定性及加工性和掺杂后半导体器件稳定性,同时通过调节掺杂剂浓度可以实现对半导体材料掺杂比例及电学性质的调控,可以被广泛地应用于电子学领域,例如发光二极管、太阳能电池、场效应晶体管和热电器件等。

    一种低能级差染料、中间体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN101864187A

    公开(公告)日:2010-10-20

    申请号:CN201010198215.0

    申请日:2010-06-11

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 裴坚 唐铮铭 雷霆

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明提供了一种应用于有机染料敏化太阳能电池的低能级差的有机小分子染料,为式1所示染料,由于含有苯并噻二唑,分子内具有多重的给受体结构和推拉电子作用,使其具有更宽的吸收光谱,可以达到800nm。本发明是目前染料敏化太阳能电池中对太阳光吸收最宽的材料之一。分子中的柔性链不仅可以提高分子的溶解性,使得合成、提纯、加工难度都大大降低,还可以减少分子在器件中的聚集,降低空穴-电子复合的机率。该染料的构型和光物理性质具有较大的调控空间。利用该类低能级差化合物作为敏化染料的染料敏化太阳能电池具有较高的光电转换效率,最高可以达到9%,处于国际领先水平。式1

    三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用

    公开(公告)号:CN111825591A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201910322353.6

    申请日:2019-04-22

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。三胺基甲烷衍生物作为有机半导体、碳纳米管、二维半导体材料等半导体材料的n型掺杂剂,具有高稳定性高、高溶解性和高掺杂能力的优点,与有机半导体材料有良好的混溶性,且掺杂不会破坏聚合物传输电荷的π-π堆积通道,可以加工高性能的掺杂半导体厚膜。将三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂应用于薄膜晶体管、热电材料、太阳能电池和发光二极管等光电器件中,可以极大的提高半导体材料体相或者界面的电子密度,降低体相或者界面的电阻、接触势垒,提高材料的n型电导率和功率因子。

    星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法

    公开(公告)号:CN101844983A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010140590.X

    申请日:2010-04-02

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了星形荧光聚合物及其引发剂与它们的制备方法。该荧光聚合物的结构通式如式VII所示。制备该荧光聚合物所用引发剂如式I所示。利用本发明提供的荧光聚合物进行DNA或蛋白质分离,分离速度快,分离效果好,毛细管不需修饰,一次灌胶可重复使用且有较好的重复性;而且,本发明能够将可比较的不同拓扑结构引入到分离介质中,可以系统的对比线形聚合物对生物大分子分离结果的影响;此外,由于该荧光聚合物具有荧光核,因而可将该荧光核引入到分离介质中,实现同时观察到分离介质和生物大分子的目的,从而获得生物大分子在分离过程中更直观的图像,为分离机理的揭示提供更加有力的方法。

    N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用

    公开(公告)号:CN112645881A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201910966950.2

    申请日:2019-10-12

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。N杂环卡宾及卡宾前体可作为溶液稳定、高效的n型掺杂剂实现对有机小分子及聚合物材料、碳纳米管、无机半导体等半导体材料的高效n掺杂。该类n型掺杂剂化学结构简单,易于合成及衍生化,兼备较高的掺杂效率、良好的溶液稳定性及加工性和掺杂后半导体器件稳定性,同时通过调节掺杂剂浓度可以实现对半导体材料掺杂比例及电学性质的调控,可以被广泛地应用于电子学领域,例如发光二极管、太阳能电池、场效应晶体管和热电器件等。

    含有吸电子基团的对苯撑乙烯类化合物及其制备和应用

    公开(公告)号:CN104761563A

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201410004856.6

    申请日:2014-01-06

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 裴坚 雷霆 王婕妤

    Abstract: 本发明公开了一种含有吸电子基团的对苯撑乙烯类化合物及其制备和应用。带有吸电子取代基的对苯撑乙烯类化合物单体及其与其它芳香化合物单体聚合而成的聚合物,由于含有吸电子取代基,作为有机半导体材料能够极大地提高材料中空穴和电子的迁移率,从而可以作为n型材料(传输电子)或双极传输材料(即可传输空穴又可以传输电子)应用于有机场效应晶体管、有机太阳能电池和有机发光二极管等光电器件中。

Patent Agency Ranking