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公开(公告)号：CN111275691B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202010074621.X
申请日：2020-01-22
IPC: G06V10/764 , G06T7/00 , G06T7/13 , G16H50/20 , G06V10/82 , G06N3/0475 , G06N3/094 , G06N3/0464 , G06N3/048
Abstract: 本发明提供一种基于深度学习的小样本肿瘤坏死率分类预测装置，包括：单张图像生成模块，被配置为将正常骨轮廓图像以及带有肿瘤坏死率类别标签的真实化疗前肿瘤图像输入训练后的第一生成对抗网络模型中，获得带有肿瘤坏死率类别标签的生成化疗前肿瘤图像；时间序列图像生成模块，被配置为将所述生成化疗前肿瘤图像输入训练后的第二生成对抗网络模型中，获得生成肿瘤时间序列图像；坏死率分类模块，被配置为采用所述生成肿瘤时间序列图像训练深度卷积神经网络模型以获得待检测肿瘤时间序列图像的肿瘤坏死率分类结果。该装置能够解决肿瘤样本数量稀少、漏诊误诊率较高的问题。
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公开(公告)号：CN110862517A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810986309.0
申请日：2018-08-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种基于苯并二呋喃二酮及其衍生物的刚性共轭聚合物及其制备和应用。该刚性共轭聚合物由苯并二呋喃二酮类衍生物与同时含有两个靛红或其衍生物片段的芳香体系单体通过羟醛缩合反应聚合而成，制备方法价格低廉、绿色高效，苯并二呋喃二酮和芳香骨架以碳碳双键作为桥联有效降低聚合物的最低未占有轨道的能级和“能量无序”的特性，增强了载流子的链内传输、极化子离域长度和聚合物链间的相互作用，并明显提高了有机电子学材料的电子迁移率、电导率和空气稳定性，可广泛应用于有机电子学领域，包括有机太阳能电池、有机发光二极管、有机场效应晶体管和有机热电等领域。
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公开(公告)号：CN102158531A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110034122.9
申请日：2011-01-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种分布式查询数据流传输方法，包括步骤1)每个网络节点上保存流经该节点的数据流或者最近的查询的结果，存储为视图；2)一网络节点上生成新查询时，利用传输途径上网络节点保存的流经该节点的数据流或者最近的查询的结果作为新查询的数据源，将代价最小的包含该新查询数据的网络节点作为查询执行节点；3)查询数据流从查询生成节点传输到查询执行节点上进行查询。采用本发明的方法可以在分布式数据流查询处理中，通过尽可能地在多个数据流之间实现共享传输，减少了网络中的数据传输量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112645881A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910966950.2
申请日：2019-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: C07D233/90 , C07D233/02 , H01L51/00
Abstract: 本发明公开了N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。N杂环卡宾及卡宾前体可作为溶液稳定、高效的n型掺杂剂实现对有机小分子及聚合物材料、碳纳米管、无机半导体等半导体材料的高效n掺杂。该类n型掺杂剂化学结构简单，易于合成及衍生化，兼备较高的掺杂效率、良好的溶液稳定性及加工性和掺杂后半导体器件稳定性，同时通过调节掺杂剂浓度可以实现对半导体材料掺杂比例及电学性质的调控，可以被广泛地应用于电子学领域，例如发光二极管、太阳能电池、场效应晶体管和热电器件等。
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公开(公告)号：CN102103638A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201110034159.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明提供一种基于查询日志的数据库统计数据直方图生成方法，包括以下步骤：1)从数据库查询日志中提取查询集合，每个查询对应一个属性，将属性集的左右边界值构成一个数组；2)对数组进行排序，生成相邻点对构成的基本区间；3)对不同属性上的区间取笛卡尔积，结果称之为一个立方体；4)根据每个查询包含的结果行数与立方体的笛卡尔积，得到立方体的密度值；5)根据立方体的密度值生成直方图。本发明的方法基于数据库查询日志生成直方图，克服了传统数据库系统通过扫描原始数据生成直方图的代价过高的问题，以及现有利用查询日志进行增量式直方图生成方法的误差过大的问题。
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公开(公告)号：CN111825591B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201910322353.6
申请日：2019-04-22
Applicant: 北京大学
IPC: C07D203/12 , C07D487/06 , C07D498/06 , C07D233/02 , H10K85/60
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公开(公告)号：CN111825591A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910322353.6
申请日：2019-04-22
Applicant: 北京大学
IPC: C07D203/12 , C07D487/06 , C07D498/06 , C07D233/02 , H01L51/30 , H01L51/46 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。三胺基甲烷衍生物作为有机半导体、碳纳米管、二维半导体材料等半导体材料的n型掺杂剂，具有高稳定性高、高溶解性和高掺杂能力的优点，与有机半导体材料有良好的混溶性，且掺杂不会破坏聚合物传输电荷的π-π堆积通道，可以加工高性能的掺杂半导体厚膜。将三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂应用于薄膜晶体管、热电材料、太阳能电池和发光二极管等光电器件中，可以极大的提高半导体材料体相或者界面的电子密度，降低体相或者界面的电阻、接触势垒，提高材料的n型电导率和功率因子。
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公开(公告)号：CN112645881B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201910966950.2
申请日：2019-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: C07D233/90 , C07D233/02
Abstract: 本发明公开了N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。N杂环卡宾及卡宾前体可作为溶液稳定、高效的n型掺杂剂实现对有机小分子及聚合物材料、碳纳米管、无机半导体等半导体材料的高效n掺杂。该类n型掺杂剂化学结构简单，易于合成及衍生化，兼备较高的掺杂效率、良好的溶液稳定性及加工性和掺杂后半导体器件稳定性，同时通过调节掺杂剂浓度可以实现对半导体材料掺杂比例及电学性质的调控，可以被广泛地应用于电子学领域，例如发光二极管、太阳能电池、场效应晶体管和热电器件等。
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