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公开(公告)号：CN112645881A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910966950.2
申请日：2019-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: C07D233/90 , C07D233/02 , H01L51/00
Abstract: 本发明公开了N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。N杂环卡宾及卡宾前体可作为溶液稳定、高效的n型掺杂剂实现对有机小分子及聚合物材料、碳纳米管、无机半导体等半导体材料的高效n掺杂。该类n型掺杂剂化学结构简单，易于合成及衍生化，兼备较高的掺杂效率、良好的溶液稳定性及加工性和掺杂后半导体器件稳定性，同时通过调节掺杂剂浓度可以实现对半导体材料掺杂比例及电学性质的调控，可以被广泛地应用于电子学领域，例如发光二极管、太阳能电池、场效应晶体管和热电器件等。
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公开(公告)号：CN104761563A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410004856.6
申请日：2014-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: C07D493/04 , C08G61/12 , H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种含有吸电子基团的对苯撑乙烯类化合物及其制备和应用。带有吸电子取代基的对苯撑乙烯类化合物单体及其与其它芳香化合物单体聚合而成的聚合物，由于含有吸电子取代基，作为有机半导体材料能够极大地提高材料中空穴和电子的迁移率，从而可以作为n型材料（传输电子）或双极传输材料（即可传输空穴又可以传输电子）应用于有机场效应晶体管、有机太阳能电池和有机发光二极管等光电器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110862517A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810986309.0
申请日：2018-08-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种基于苯并二呋喃二酮及其衍生物的刚性共轭聚合物及其制备和应用。该刚性共轭聚合物由苯并二呋喃二酮类衍生物与同时含有两个靛红或其衍生物片段的芳香体系单体通过羟醛缩合反应聚合而成，制备方法价格低廉、绿色高效，苯并二呋喃二酮和芳香骨架以碳碳双键作为桥联有效降低聚合物的最低未占有轨道的能级和“能量无序”的特性，增强了载流子的链内传输、极化子离域长度和聚合物链间的相互作用，并明显提高了有机电子学材料的电子迁移率、电导率和空气稳定性，可广泛应用于有机电子学领域，包括有机太阳能电池、有机发光二极管、有机场效应晶体管和有机热电等领域。
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公开(公告)号：CN101219921A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810056420.6
申请日：2008-01-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一类共轭树枝状分子的纯蓝光材料，以及采用这种蓝光材料作为发光层的有机电致发光器件。本发明的蓝光材料是以三聚茚为核、以反式1，2－二苯乙烯为桥联的共轭树枝状分子，通过三膦酸酯与三聚茚的单醛衍生物经过Homer－Wadsworth－Emmons反应或者Wittig反应得到，迅速增长了材料的共轭长度和分子量，相应调节了纯蓝光的发射和材料的成膜性。另外，材料的树枝状结构和取代的烷基链有效的减少了分子间的聚集，由此获得了高纯度的蓝光。利用该类共轭树枝状分子作为有机电致发光二极管器件的发光层材料，使用简单的旋涂工艺制膜即可制备，能够成功发射纯蓝光，并且具有很好的光电稳定性。
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公开(公告)号：CN112645881B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201910966950.2
申请日：2019-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: C07D233/90 , C07D233/02
Abstract: 本发明公开了N杂环卡宾及卡宾前体作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。N杂环卡宾及卡宾前体可作为溶液稳定、高效的n型掺杂剂实现对有机小分子及聚合物材料、碳纳米管、无机半导体等半导体材料的高效n掺杂。该类n型掺杂剂化学结构简单，易于合成及衍生化，兼备较高的掺杂效率、良好的溶液稳定性及加工性和掺杂后半导体器件稳定性，同时通过调节掺杂剂浓度可以实现对半导体材料掺杂比例及电学性质的调控，可以被广泛地应用于电子学领域，例如发光二极管、太阳能电池、场效应晶体管和热电器件等。
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公开(公告)号：CN111825591B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201910322353.6
申请日：2019-04-22
Applicant: 北京大学
IPC: C07D203/12 , C07D487/06 , C07D498/06 , C07D233/02 , H10K85/60
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公开(公告)号：CN111825591A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910322353.6
申请日：2019-04-22
Applicant: 北京大学
IPC: C07D203/12 , C07D487/06 , C07D498/06 , C07D233/02 , H01L51/30 , H01L51/46 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。三胺基甲烷衍生物作为有机半导体、碳纳米管、二维半导体材料等半导体材料的n型掺杂剂，具有高稳定性高、高溶解性和高掺杂能力的优点，与有机半导体材料有良好的混溶性，且掺杂不会破坏聚合物传输电荷的π-π堆积通道，可以加工高性能的掺杂半导体厚膜。将三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂应用于薄膜晶体管、热电材料、太阳能电池和发光二极管等光电器件中，可以极大的提高半导体材料体相或者界面的电子密度，降低体相或者界面的电阻、接触势垒，提高材料的n型电导率和功率因子。
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