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公开(公告)号：CN1716560A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200410009282.8
申请日：2004-06-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/76 , H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离工艺，属于CMOS超大规模集成电路制造技术领域。其步骤包括：第一次刻蚀出有源区硅台之后，用氮化硅保护有源区硅台的表面和侧壁，然后再局部氧化场区完成隔离工艺，通过在后续的制备硅台型垂直沟道器件中刻蚀器件硅台时，将有源区与场区保持同样高度，使有源区和场区边缘不会形成台阶，消除有源区边缘的多晶硅侧墙，减小了硅台型垂直沟道器件的寄生栅电容，有效优化器件的直流特性和交流特性。
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公开(公告)号：CN101295677A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710098812.4
申请日：2007-04-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外由于体硅纳米线晶体管器件的源漏与衬底相连接，可以实现大扇出的深的源漏结，有效降低寄生电阻，可以完全体现硅纳米线结构的特性优势，工艺可控性强，且与传统的工艺技术相兼容。与SOI(Silicon on Insulator)硅片比较，还可以有效降低工艺制作成本。
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公开(公告)号：CN1622295A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410101391.2
申请日：2004-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种准SOI场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路技术(ULSI)领域。该方法首先采用常规的工艺方法，实现浅槽隔离，淀积并刻蚀栅材料及上面覆盖的硬掩膜材料，形成栅区，接着制备栅侧墙保护栅区；第二步刻蚀源漏区的硅至一定深度h1，接着淀积并刻蚀抗氧化的材料形成侧墙，然后刻蚀源漏区的硅材料至第二个深度h2，形成更深的硅槽，最后热氧化暴露的硅，在源区和漏区的槽中形成“L”型氧化硅层；第三步为制备源漏区，即先去掉抗氧化材料形成的侧墙，再淀积源漏材料，用平坦化的方法形成源漏区，从而实现了准SOI结构。本发明流程简单、工艺成本低廉、同时工艺集成也容易实现。
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公开(公告)号：CN1595624A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410049912.4
申请日：2004-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/8238 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准SOI场效应晶体管源漏区的L型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源漏区，因此可以实现源漏区与沟道区的理想连接，先形成隔离层后形成沟道区，从而可以避免由于后形成“L”型隔离层影响沟道区与源漏区的连接问题。最后，通过侧墙定义形成栅结构，自对准实现源漏。因此可以通过侧墙厚度，准确控制源漏区的位置，从而可以实现真正意义上的准SOI结构。本发明提出的方法工艺实现简单，与传统的CMOS工艺兼容，可控性好，易于可以实现真正的准SOI结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100536113C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710098812.4
申请日：2007-04-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外由于体硅纳米线晶体管器件的源漏与衬底相连接，可以实现大扇出的深的源漏结，有效降低寄生电阻，可以完全体现硅纳米线结构的特性优势，工艺可控性强，且与传统的工艺技术相兼容。与SOI(Silicon on Insulator)硅片比较，还可以有效降低工艺制作成本。
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公开(公告)号：CN1314089C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410101391.2
申请日：2004-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种准SOI场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路技术(ULSI)领域。该方法首先采用常规的工艺方法，实现浅槽隔离，淀积并刻蚀栅材料及上面覆盖的硬掩膜材料，形成栅区，接着制备栅侧墙保护栅区；第二步刻蚀源漏区的硅至一定深度h1，接着淀积并刻蚀抗氧化的材料形成侧墙，然后刻蚀源漏区的硅材料至第二个深度h2，形成更深的硅槽，最后热氧化暴露的硅，在源区和漏区的槽中形成“L”型氧化硅层；第三步为制备源漏区，即先去掉抗氧化材料形成的侧墙，再淀积源漏材料，用平坦化的方法形成源漏区，从而实现了准SOI结构。本发明流程简单、工艺成本低廉、同时工艺集成也容易实现。
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公开(公告)号：CN101060135A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710110401.2
申请日：2007-06-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道是完全相同的剖面结构为圆形的双硅纳米线，双硅纳米线被栅氧和多晶硅栅围绕，形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，在沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层，形成沟道在绝缘层上的结构。本发明在低功耗和高速逻辑电路应用中有着明显的优势和广阔的应用前景。本发明还提供了一种上述的场效应晶体管的制备方法，与常规CMOS技术完全兼容，不需要SOI衬底和高成本的外延工艺，可以减小衬底成本和工艺制备成本。
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公开(公告)号：CN1322571C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410009282.8
申请日：2004-06-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/76 , H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离工艺，属于CMOS超大规模集成电路制造技术领域。其步骤包括：第一次刻蚀出有源区硅台之后，用氮化硅保护有源区硅台的表面和侧壁，然后再局部氧化场区完成隔离工艺，通过在后续的制备硅台型垂直沟道器件中刻蚀器件硅台时，将有源区与场区保持同样高度，使有源区和场区边缘不会形成台阶，消除有源区边缘的多晶硅侧墙，减小了硅台型垂直沟道器件的寄生栅电容，有效优化器件的直流特性和交流特性。
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公开(公告)号：CN1303656C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410049912.4
申请日：2004-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/8238 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准SOI场效应晶体管源漏区的L型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源漏区，因此可以实现源漏区与沟道区的理想连接，先形成隔离层后形成沟道区，从而可以避免由于后形成“L”型隔离层影响沟道区与源漏区的连接问题。最后，通过侧墙定义形成栅结构，自对准实现源漏。因此可以通过侧墙厚度，准确控制源漏区的位置，从而可以实现真正意义上的准SOI结构。本发明提出的方法工艺实现简单，与传统的CMOS工艺兼容，可控性好，易于可以实现真正的准SOI结构。
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