-
公开(公告)号：CN1303656C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410049912.4
申请日：2004-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/8238 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准SOI场效应晶体管源漏区的L型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源漏区，因此可以实现源漏区与沟道区的理想连接，先形成隔离层后形成沟道区，从而可以避免由于后形成“L”型隔离层影响沟道区与源漏区的连接问题。最后，通过侧墙定义形成栅结构，自对准实现源漏。因此可以通过侧墙厚度，准确控制源漏区的位置，从而可以实现真正意义上的准SOI结构。本发明提出的方法工艺实现简单，与传统的CMOS工艺兼容，可控性好，易于可以实现真正的准SOI结构。
-
公开(公告)号：CN1209800C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03149753.5
申请日：2003-08-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种制备SON型场效应晶体管的新方法，包含以下步骤：(1)形成有源区；(2)利用氦或者氢氦联合注入经退火在有源区下面形成空洞层；(3)制备栅介质、栅电极、源漏扩展区、侧墙；(4)离子注入对源漏进行掺杂；(5)使源漏区体积膨胀填充源漏下方的空洞层；(6)完成后续步骤，直至SON器件制作完毕。本发明的制备方法中，利用了氦或者氢氦注入形成空洞技术和材料体积膨胀技术来自然形成SON器件结构，工艺简便，易于实现电路集成。同时可以和常规CMOS工艺完全兼容，便于移植到工业生产上，降低工艺复杂度，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN1479354A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03149753.5
申请日：2003-08-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种制备SON型场效应晶体管的新方法，包含以下步骤：(1)形成有源区；(2)利用氦或者氢氦联合注入经退火在有源区下面形成空洞层；(3)制备栅介质、栅电极、源漏扩展区、侧墙；(4)离子注入对源漏进行掺杂；(5)使源漏区体积膨胀填充源漏下方的空洞层；(6)完成后续步骤，直至SON器件制作完毕。本发明的制备方法中，利用了氦或者氢氦注入形成空洞技术和材料体积膨胀技术来自然形成SON器件结构，工艺简便，易于实现电路集成。同时可以和常规CMOS工艺完全兼容，便于移植到工业生产上，降低工艺复杂度，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN119653769A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411735482.5
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H10B10/00
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底沿第一方向的两个区域上形成一对第一有源结构和一对第二有源结构；在衬底的两个区域上分别形成隔离结构，以暴露一对第一有源结构；基于一对第一有源结构，形成一对正面晶体管；倒片并暴露一对第二有源结构；基于一对第二有源结构，形成一对背面晶体管；在暴露一对第一有源结构和/或暴露一对第二有源结构之后，刻蚀位于逻辑区域内的隔离结构，以使得位于逻辑区域内的有源结构的高度高于位于存储区域内的有源结构的高度。本申请可以实现逻辑区域和存储区域有源结构的不同高度，有利于芯片不同区域对晶体管性质的需求。
-
公开(公告)号：CN119630066A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411602461.6
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其版图、制备方法、器件、设备，其中，半导体结构包括多个堆叠晶体管，堆叠晶体管包括堆叠设置的正面晶体管和背面晶体管，该半导体结构的版图包括：第一区域；第二区域；第一区域的光刻图形和第二区域的光刻图形呈镜面对称设置。通过本申请所述的半导体结构的版图，可以降低制造成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118335691A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410434569.2
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法、版图。该制备方法包括：提供衬底；刻蚀衬底，形成间隔排布的多个有源结构；其中，每个有源结构包括依次堆叠的第一有源部、绝缘部和第二有源部；对多个有源结构中至少一个目标有源结构进行鳍切处理，直至去除目标有源结构的第一有源部和/或目标有源结构的第二有源部；基于保留的有源结构的第一有源部，形成第一晶体管；基于保留的有源结构的第二有源部，形成第二晶体管。
-
公开(公告)号：CN118315336A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410353312.4
申请日：2024-03-26
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向排布的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；其中，第一晶体管包括：第一源漏结构、第一源漏金属和第一栅极结构；第一源漏金属与第一源漏结构连通；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、覆盖第二有源结构的第二层间介质层，以及与第二有源结构沿第二方向交替间隔排布的第二栅极结构；光刻第二层间介质层和第二栅极结构，直至分别形成源漏互连凹槽和栅极互连凹槽；在源漏互连凹槽内形成源漏互连结构以及在栅极互连凹槽内形成栅极互连结构，以形成第二晶体管。
-
公开(公告)号：CN118571840A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410759412.7
申请日：2024-06-13
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上以第一方向依次堆叠设置第一鳍状结构、中间介质层和第二鳍状结构；在第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第一晶体管的第一栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第一鳍状结构的第一表面的至少一部分；基于暴露后的第一鳍状结构，形成所述第一晶体管；倒片并去除所述衬底；在所述第二方向上，刻蚀所述中间介质层位于所述第二晶体管的第二栅极区域中的至少一部分，以暴露所述第二鳍状结构的第二表面的至少一部分；基于暴露后的第二鳍状结构，形成所述第二晶体管。通过本申请，可以有效提高半导体结构的电学性能。
-
公开(公告)号：CN118538669A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410759971.8
申请日：2024-06-13
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：提供一衬底；刻蚀衬底，以形成有源结构；在有源结构和衬底上沉积绝缘材料，以形成浅槽隔离结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；其中，第一晶体管的第一栅极结构在第一晶体管的第一栅极区域中包裹第一有源结构和中间隔离层的第一部分，和/或，第二晶体管的第二栅极结构在第二晶体管的第二栅极区域中包裹第二有源结构和中间隔离层的第二部分；第一部分为中间隔离层中靠近第一有源结构的一部分，第二部分为中间隔离层中靠近第二有源结构的一部分。通过本申请，可以有效改善第一晶体管和第二晶体管之间的耦合问题。
-
公开(公告)号：CN118380320A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410489812.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，方法包括：在衬底上形成鳍状结构；在鳍状结构上沉积第一绝缘材料，以形成第一浅沟槽隔离层；刻蚀第一浅沟槽隔离层至牺牲层与衬底的交界处，暴露鳍状结构；在鳍状结构上形成伪栅结构；在伪栅结构和未被伪栅结构包裹的鳍状结构上沉积第一绝缘材料，形成第二浅沟槽隔离层；刻蚀第二浅沟槽隔离层至牺牲层与叠层的交界处，以暴露未被伪栅结构包裹的鳍状结构；刻蚀未被伪栅结构包裹的鳍状结构，并形成源漏结构；刻蚀第二浅沟槽隔离层至牺牲层与衬底的交界处，暴露牺牲层；去除牺牲层，在叠层、源漏结构与衬底之间形成第一间隙；在第一间隙中填充隔离材料，以形成底部介质隔离层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.018 seconds)
