公开(公告)号：CN100536113C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200710098812.4

申请日：2007-04-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 田豫 ,  黄如 ,  王逸群 ,  王润声 ,  王阳元

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外由于体硅纳米线晶体管器件的源漏与衬底相连接，可以实现大扇出的深的源漏结，有效降低寄生电阻，可以完全体现硅纳米线结构的特性优势，工艺可控性强，且与传统的工艺技术相兼容。与SOI(Silicon on Insulator)硅片比较，还可以有效降低工艺制作成本。

公开(公告)号：CN101295677A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710098812.4

申请日：2007-04-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 田豫 ,  黄如 ,  王逸群 ,  王润声 ,  王阳元

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外由于体硅纳米线晶体管器件的源漏与衬底相连接，可以实现大扇出的深的源漏结，有效降低寄生电阻，可以完全体现硅纳米线结构的特性优势，工艺可控性强，且与传统的工艺技术相兼容。与SOI(Silicon on Insulator)硅片比较，还可以有效降低工艺制作成本。