公开(公告)号：CN118890904A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411012267.2

申请日：2024-07-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  王錡深 ,  蔡一茂 ,  黄如

IPC: H10B63/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种阻变存储阵列的空气间隙结构的制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明在后端阻变存储阵列的制备过程中，利用具有高深宽比的凹槽结构设计，在相邻阻变存储单元之间形成周期性的空气间隙结构。利用本发明可以有效地缓解了由电容耦合引起的信号延迟问题，对于提高新型存储器技术在大规模集成和生产方面的性能具有重要意义。

公开(公告)号：CN114094009B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202111385644.3

申请日：2021-11-22

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  王宗巍 ,  王錡深 ,  杨宇航 ,  黄如

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公布了一种基于多阻变层的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于传统CMOS工艺来实现具有高retention的阻变存储器件，其核心在于，阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成，形成多层阻变层结构。本发明通过调整界面处势垒以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的阻变层离子迁移问题，可有效地抑制器件的低保持力。同时，多层阻变层结构也有利于增加器件的状态数，为实现阻变存储器大规模集成以及商业化铺平了道路。

公开(公告)号：CN117042468A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310810715.2

申请日：2023-07-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  王錡深 ,  蔡一茂 ,  王翠梅 ,  黄如

IPC: H10B63/00

Abstract: 本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，包括底电极、阻变部和顶电极，在光刻图形化后通过退火和气体进行处理，阻变部的被刻蚀的侧壁通过钝化性气体进行钝化限域，形成绝缘钝化层。本发明在阻变存储器的主要结构刻蚀完成后，增加气体钝化步骤，使刻蚀后的阻变部的侧壁充分钝化，减少刻蚀后的缺陷，限定导电通道区域，增加氧空位/氧离子向外迁移的势垒，提供均匀可靠的高低阻态，使得阻变存储器件拥有良好的均匀性和可靠性。

公开(公告)号：CN115527583A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211301755.6

申请日：2022-10-24

Applicant: 北京大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 蔡一茂 ,  王錡深 ,  王宗巍 ,  鲍盛誉 ,  古绍泓 ,  黄如

IPC: G11C13/00 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明提供一种调控非易失存储器多值存储的方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明控制晶体管的源漏端电压差，不断搜索晶体管的栅极电压的最高幅值，采用线性快速下降方式调控晶体管的栅极电压，其下降终点与速度设置分别为0～1/2Vg与1ps～10ns，通过set操作或Reset操作完成阻变存储器的阻态变化，实现非易失存储器多值存储。本发明由于采用非恒压式调控栅极电压快速下降，利用晶体管能极快速关断的特性，对电流进行及时控制，可以控制阻变存储器的阻值区间；且低阻区间有利于降低操作电压，进而减缓器件特性的退化。

公开(公告)号：CN119091944A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411150153.4

申请日：2024-08-21

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  王錡深 ,  王宗巍 ,  黄如

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明公开一种新型存储器的读取方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明新型存储器为非易失性存储器，包括CMOS晶体管与阻变存储器，阻变存储器的底电极连接CMOS晶体管的漏端，阻变存储器为四端操作型器件，所述新型存储器的读取操作具体包括如下步骤：1)在晶体管的漏端(BL)进行器件的电初始化(FORMING)与置位(SET)步骤，在晶体管的源端(SL)进行重置(RESET)操作；2)控制晶体管的栅极施加开启电压，在SL端施加读取电压Vread，在BL端读取电流。本发明通过采用与RESET同向的读取方案，在采用大读取电压的前提，提高电流差窗口，同时有效抑制读干扰。

公开(公告)号：CN114094009A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111385644.3

申请日：2021-11-22

Applicant: 北京大学 ,  北京超弦存储器研究院

Inventor： 蔡一茂 ,  王宗巍 ,  王錡深 ,  杨宇航 ,  黄如

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公布了一种基于多阻变层的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于传统CMOS工艺来实现具有高retention的阻变存储器件，其核心在于，阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成，形成多层阻变层结构。本发明通过调整界面处势垒以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的阻变层离子迁移问题，可有效地抑制器件的低保持力。同时，多层阻变层结构也有利于增加器件的状态数，为实现阻变存储器大规模集成以及商业化铺平了道路。