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公开(公告)号：CN112906175B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201911225817.8
申请日：2019-12-04
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/20 , G01R31/26 , G01R31/27 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种面向超低功耗应用场景的半导体器件综合评估方法，既考虑了器件的低功耗能力，又考虑了器件对电路性能(速度)的影响。该方法以具体电路的工作频率要求为性能标准，得到半导体器件刚好满足该工作频率的最小工作电压；以对照器件在给定工作频率对应的最小工作电压下的最小功耗作为功耗标准，既能得到待评估器件相较于对照器件是否具有低功耗优势的结论，又能得到待评估器件的优势“工作频率‑工作电压”范围。
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公开(公告)号：CN105348343B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201510836634.5
申请日：2015-11-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了发色团修饰的脱氧核苷亚磷酰胺单体化合物及其制备方法和应用。本发明将芘、苝或萘酰胺等发色团与双二异丙基氨基氯化磷相连接得到亚磷中间体，再与DMT保护的脱氧核苷反应，得到发色团修饰的脱氧核苷亚磷酰胺单体化合物。通过DNA的固相合成，将其定点插入到寡聚核苷酸中得到发色团修饰的双链结构稳定的荧光寡聚核苷酸探针。该荧光寡聚核苷酸探针本身没有荧光发射，只有和完全配对的靶链结合后，荧光增强可达23.5倍且响应速度快；对于错配碱基识别明显，几乎没有荧光发射，可以明显区分出单碱基错配，能应用于基因单碱基突变分析和PCR反应过程检测等，在单碱基多态性检测和生化样品中核酸检测等方面中应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN105348343A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510836634.5
申请日：2015-11-25
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C07H19/10 , C07F9/22 , C07F9/5765 , C07H1/00 , C07H21/04 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C12Q1/6827 , C12Q2563/107
Abstract: 本发明公开了发色团修饰的脱氧核苷亚磷酰胺单体化合物及其制备方法和应用。本发明将芘、苝或萘酰胺等发色团与双二异丙基氨基氯化磷相连接得到亚磷中间体，再与DMT保护的脱氧核苷反应，得到发色团修饰的脱氧核苷亚磷酰胺单体化合物。通过DNA的固相合成，将其定点插入到寡聚核苷酸中得到发色团修饰的双链结构稳定的荧光寡聚核苷酸探针。该荧光寡聚核苷酸探针本身没有荧光发射，只有和完全配对的靶链结合后，荧光增强可达23.5倍且响应速度快；对于错配碱基识别明显，几乎没有荧光发射，可以明显区分出单碱基错配，能应用于基因单碱基突变分析和PCR反应过程检测等，在单碱基多态性检测和生化样品中核酸检测等方面中应用前景广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564498A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010401204.1
申请日：2020-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管的自对准栅漏负交叠区自对准制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法在隧穿晶体管栅两侧设计不对称侧墙的结构，其中栅靠近源端的一侧为薄侧墙，栅靠近漏端的一侧为厚侧墙。本发明合理利用了标准CMOS工艺中存在的薄侧墙与厚侧墙，将源端薄侧墙作为晶体管源区注入的硬掩模，而漏端厚侧墙作为晶体管漏区注入的硬掩模，没有引入特殊材料与特殊工艺，实现了对隧穿场效应晶体管(TFET)双极效应的抑制，同时优化了器件涨落特性。可以保证TFET能与标准CMOS器件混片集成，实现更为复杂多元的电路功能。
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公开(公告)号：CN112906175A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911225817.8
申请日：2019-12-04
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/20 , G01R31/26 , G01R31/27 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种面向超低功耗应用场景的半导体器件综合评估方法，既考虑了器件的低功耗能力，又考虑了器件对电路性能(速度)的影响。该方法以具体电路的工作频率要求为性能标准，得到半导体器件刚好满足该工作频率的最小工作电压；以对照器件在给定工作频率对应的最小工作电压下的最小功耗作为功耗标准，既能得到待评估器件相较于对照器件是否具有低功耗优势的结论，又能得到待评估器件的优势“工作频率‑工作电压”范围。
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公开(公告)号：CN112468134A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011150124.X
申请日：2020-10-23
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: H03K19/003
Abstract: 本申请公开了一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路，逻辑电路的生成方法包括：设计并生成初始隧穿场效应晶体管逻辑电路，初始隧穿场效应晶体管逻辑电路包括至少一个逻辑门；确定逻辑门的串联支路中与逻辑门的输入节点连接的第一隧穿场效应晶体管；使用场效应晶体管替换第一隧穿场效应晶体管；在逻辑门的串联支路与逻辑门的输出节点之间增加第二隧穿场效应晶体管，生成逻辑电路。能够克服隧穿场效应晶体管在串联支路中造成的电流衰减过大的缺陷，以及克服替换入逻辑门中的场效应晶体管所导致的漏电流增大的缺陷，从而逻辑门由于其串联支路中电流衰减过大导致的性能、噪声容限等发生退化，提高逻辑电路的性能。
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公开(公告)号：CN117394856A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310571533.4
申请日：2023-05-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种模拟信息转换器及信号处理系统，其中模拟信息转换器，包括：电平相交检测模块、异步时序控制模块和信息感知模块，电平相交检测模块，根据当前参考电平对输入模拟信号的电压值进行检测，输出触发信号和方向信号；异步时序控制模块，用于根据触发信号生成使能信号以使能控制电平相交检测模块；信息感知模块，用于根据触发信号和方向信号确定输入模拟信号的当前电压值及当前斜率值，并根据当前电压值确定电平相交检测模块下次采样的分辨率范围，以及根据当前斜率值及下次采样的分辨率范围调整确定下次采样的分辨率以控制下次采样的参考电平。本发明能够自适应依据实际应用场景实现对事件信号的信息进行不冗余不遗漏采集。
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公开(公告)号：CN114897143A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210517753.4
申请日：2022-05-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种神经元单元电路、脉冲神经网络及智能物联网芯片，其中神经元单元电路包括：树突电路、含有膜电位电容的突触电路、胞体电路和时间规划模块，树突电路，根据输入脉冲信号或前一层神经元胞体电路的输出脉冲信号生成复位信号和与复位信号不交叠的计算信号；突触电路存储权重，并根据存储的权重和树突电路输出执行膜电位电容的电位积累操作，胞体电路，比较膜电位电容的膜电位与阈值电压，确定是否输出脉冲信号；时间规划模块，用于根据输入脉冲信号或前一层神经元单元输出的使能信号产生时序，以使阈值电压在胞体执行比较操作前存储至阈值电容，以及触发胞体执行比较操作。本发明实现了系统级、模块级到电路级的终极事件驱动电路。
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