公开(公告)号：CN102891253A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210361359.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  毛俊 ,  武慧薇 ,  黄如

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括上电极、阻变材料和下电极，所述阻变材料位于下电极之上，所述上电极嵌入在阻变材料之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。本发明还公开了阻变存储器的制备方法。本发明所提供的阻变存储器及其制备方法，可以有效地缩小电极的作用面积，同时，可以以制作微米级存储器的成本来实现纳米级存储器的效果，简化了存储器的制作工艺、同时节约了制作成本。

公开(公告)号：CN102881824A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210359880.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  毛俊 ,  武慧薇 ,  黄如

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/145 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括衬底以及衬底之上的多个相互间隔的存储单元，每个存储单元包括下电极、阻变层和上电极，其中，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层位于所述下电极之上，所述上电极位于所述阻变层之上，所述阻变层包括：阻变材料部分和掺有用于调节电阻状态的元素的至少一个掺杂阻变部分。本发明还公开了阻变存储器的制备方法。本发明所提供的阻变存储器及其制备方法，由于阻变层并非单一的阻变材料，在阻变器set操作过程中，根据电压大小不同，会产生多个稳定的阻态，从而增加了阻变器的存储密度，同时，无需增大阻变器的体积。

公开(公告)号：CN102891253B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210361359.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  毛俊 ,  武慧薇 ,  黄如

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括上电极、阻变材料和下电极，所述阻变材料位于下电极之上，所述上电极嵌入在阻变材料之内，所述上电极的顶部的宽度大于其底部的宽度。本发明还公开了阻变存储器的制备方法。本发明所提供的阻变存储器及其制备方法，可以有效地缩小电极的作用面积，同时，可以以制作微米级存储器的成本来实现纳米级存储器的效果，简化了存储器的制作工艺、同时节约了制作成本。

公开(公告)号：CN102881824B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210359880.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  毛俊 ,  武慧薇 ,  黄如

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/145 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括衬底以及衬底之上的多个相互间隔的存储单元，每个存储单元包括下电极、阻变层和上电极，其中，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层位于所述下电极之上，所述上电极位于所述阻变层之上，所述阻变层包括：阻变材料部分和掺有用于调节电阻状态的元素的至少一个掺杂阻变部分。本发明还公开了阻变存储器的制备方法。本发明所提供的阻变存储器及其制备方法，由于阻变层并非单一的阻变材料，在阻变器set操作过程中，根据电压大小不同，会产生多个稳定的阻态，从而增加了阻变器的存储密度，同时，无需增大阻变器的体积。

公开(公告)号：CN102891149A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210361371.3

申请日：2012-09-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  武慧薇 ,  梅松 ,  黄如

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明实施例公开了一种浮栅闪存器件及其制备方法。该浮栅闪存器件包括衬底和在所述衬底上层叠设置的隧穿氧化层、浮栅、阻挡绝缘层、控制栅，所述衬底上设置有源漏电极区，所述隧穿氧化层位于所述衬底之上；所述浮栅位于所述隧穿氧化层之上；所述阻挡绝缘层位于所述浮栅之上；所述控制栅位于所述阻挡绝缘层之上，其中，所述浮栅内设置有至少一层阻挡层。本发明实施例提供的浮栅闪存器件及其制备方法，通过在浮栅上设置阻挡层，对电子形成阻挡，减少了电子穿通浮栅的情况的发生，从而改善了闪存器件的编程效率，提高了闪存器件的存储可靠性。