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公开(公告)号：CN117238938A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311196171.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 本发明公开一种光信号时间编码、频率编码像素单元和图像传感器，涉及半导体器件及集成电路领域；光信号时间编码像素单元包括：感光模块和控制电路模块；感光模块为阈值电压受到光强调制的晶体管；控制电路模块包括电流比较器和脉冲产生电路模块；晶体管的源极与电流比较器的输入端连接；晶体管的栅极输入端作为像素单元的控制端；晶体管的漏极作为像素单元的输入端；电流比较器的输出端与脉冲产生电路模块连接；本发明能够对不同光信号进行原位光电转换，不需要复杂电路以实现光信号的脉冲编码。
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公开(公告)号：CN114090944B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202111251725.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/11
Abstract: 本公开提供了一种基于非易失性存储器阵列的偏微分方程求解方法，包括将待求解偏微分方程转换为对应的迭代关系式；从所述迭代系数矩阵中选取能复用的子矩阵单元，并将所述子矩阵单元存储于非易失性存储器阵列；从所述迭代解向量内提取输入向量，输入非易失性存储器阵列，并利用得到的输出向量加上所述常数向量的对应部分后更新部分所述迭代解向量，从更新后的所述迭代解向量中再次提取输入向量输入非易失性存储器阵列，直至迭代解向量的全部元素都更新完毕，得到参与下一次迭代运算的迭代解向量；当达到预设的迭代次数或误差小于预设的范围时，结束迭代运算。
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公开(公告)号：CN114090944A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111251725.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/11
Abstract: 本公开提供了一种基于非易失性存储器阵列的偏微分方程求解方法，包括将待求解偏微分方程转换为对应的迭代关系式；从所述迭代系数矩阵中选取能复用的子矩阵单元，并将所述子矩阵单元存储于非易失性存储器阵列；从所述迭代解向量内提取输入向量，输入非易失性存储器阵列，并利用得到的输出向量加上所述常数向量的对应部分后更新部分所述迭代解向量，从更新后的所述迭代解向量中再次提取输入向量输入非易失性存储器阵列，直至迭代解向量的全部元素都更新完毕，得到参与下一次迭代运算的迭代解向量；当达到预设的迭代次数或误差小于预设的范围时，结束迭代运算。
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公开(公告)号：CN115985371A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310121437.X
申请日：2023-02-03
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/24
Abstract: 本公开提供了一种基于NVM器件的CAM器件结构单元、阵列、操作方法和设备。其中，基于NVM器件的CAM器件结构单元包括第一NVM器件单元和第二NVM器件单元。第一NVM器件单元存储与设定存储逻辑值相映射的第一电导值；第二NVM器件单元存储与设定存储逻辑值相映射的第二电导值，与该第一NVM器件单元相邻设置，且连接在同一位线上；其中，当向该第一NVM器件单元施加与设定输入逻辑值相映射的第一输入电压，且向该第二NVM器件单元施加与设定输入逻辑值相映射的第二输入电压时，响应于对该第一NVM器件单元施加的第一读电压和对该第二NVM器件单元施加的第二读电压，读出该位线的位线电流以用于确定欧氏距离。实现了低功耗、高密度且能够满足复杂应用场景需求的CAM系统设计。
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公开(公告)号：CN115273924A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211086954.X
申请日：2020-03-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开是一种基于3D NAND FLASH存储阵列的TCAM及其操作方法。该TCAM包括：数据输入单元，包括上下两个相邻的字线WL，用于加载待搜索数据；数据存储单元，包括上下两个相邻的FLASH存储单元，用于预先存储数据库数据，以与待搜索数据进行内容比较；控制驱动单元，包括漏极选择管、源极选择管、漏极选择线DSL、源极选择线SSL和位线BL，用于逻辑功能的控制；匹配结果输出单元，包括一条源线SL，用于输出三态内容寻址存储器对待搜索数据的查找和匹配结果；同一条位线上所连的不同NAND FLASH单元串之间能够进行并行搜索，3D NAND FLASH阵列的不同PAGE之间也能够进行并行搜索。本公开的TCAM没有待机功耗，能够明显降低静态功耗，有效减小电路面积，对未来TCAM系统的设计和应用具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111341365A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010149086.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种三态内容可寻址存储器及其操作方法，该三态内容可寻址存储器包括3D NAND闪存存储阵列，该3D NAND闪存存储阵列具有多个闪存单元，在特定闪存单元中预先存储有供查找的数据，3D NAND闪存存储阵列的位线用于在数据查找操作下被施加由待搜索数据转换成的电压，漏极选择线和源极选择线用于在数据查找操作下被施加高电压，以使得选择晶体管处于导通状态；该3D NAND闪存存储阵列的字线中某个字线被选中用于在数据查找操作下被施加读电压，其余字线用于在数据查找操作下被施加通过电压；闪存单元的输出电流经源线汇总输出，该源线上的输出电流用于指示待搜索数据与供查找数据的匹配结果。该三态内容可寻址存储器能够明显降低静态能耗，有效减小电路面积。
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公开(公告)号：CN113160869B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110293251.3
申请日：2021-03-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种CAM器件及其操作方法。其中，该CAM器件的操作方法，包括步骤S1‑S3。在步骤S1中，基于预设存储规则，将待搜索数据存储到CAM器件的CAM单元；在步骤S2中，将待查找数据转换为字线电压施加到CAM单元的字线上；在步骤S3中，对待查找数据与待搜索数据进行匹配操作，以完成查找搜索过程；其中，CAM单元包括第一晶体管和第二晶体管。第二晶体管与第一晶体管相邻，且基于源极‑漏极连接的形式与第一晶体管串联；其中，第一晶体管和第二晶体管为3D NAND FLASH存储阵列中的存储单元，CAM单元用于存储多比特数据。本公开实施例中基于3D NAND FLASH的CAM器件待机功耗极低，器件整体尺寸可以控制到更小，同时极大地提升了整个存储系统的数据容量。
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公开(公告)号：CN111341365B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010149086.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种三态内容可寻址存储器及其操作方法，该三态内容可寻址存储器包括3D NAND闪存存储阵列，该3D NAND闪存存储阵列具有多个闪存单元，在特定闪存单元中预先存储有供查找的数据，3D NAND闪存存储阵列的位线用于在数据查找操作下被施加由待搜索数据转换成的电压，漏极选择线和源极选择线用于在数据查找操作下被施加高电压，以使得选择晶体管处于导通状态；该3D NAND闪存存储阵列的字线中某个字线被选中用于在数据查找操作下被施加读电压，其余字线用于在数据查找操作下被施加通过电压；闪存单元的输出电流经源线汇总输出，该源线上的输出电流用于指示待搜索数据与供查找数据的匹配结果。该三态内容可寻址存储器能够明显降低静态能耗，有效减小电路面积。
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公开(公告)号：CN113160869A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110293251.3
申请日：2021-03-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种CAM器件及其操作方法。其中，该CAM器件的操作方法，包括步骤S1‑S3。在步骤S1中，基于预设存储规则，将待搜索数据存储到CAM器件的CAM单元；在步骤S2中，将待查找数据转换为字线电压施加到CAM单元的字线上；在步骤S3中，对待查找数据与待搜索数据进行匹配操作，以完成查找搜索过程；其中，CAM单元包括第一晶体管和第二晶体管。第二晶体管与第一晶体管相邻，且基于源极‑漏极连接的形式与第一晶体管串联；其中，第一晶体管和第二晶体管为3D NAND FLASH存储阵列中的存储单元，CAM单元用于存储多比特数据。本公开实施例中基于3D NAND FLASH的CAM器件待机功耗极低，器件整体尺寸可以控制到更小，同时极大地提升了整个存储系统的数据容量。
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公开(公告)号：CN111462792A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010179205.6
申请日：2020-03-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开是一种基于3D NAND FLASH存储阵列的TCAM及其操作方法。该TCAM包括：数据输入单元，包括上下两个相邻的字线，用于加载待搜索数据；数据存储单元，包括上下两个相邻的FLASH存储单元，预先存储数据库数据，以与待搜索数据进行内容比较；控制驱动单元，包括漏极选择管、源极选择管、漏极选择线、源极选择线和位线，用于逻辑功能的控制；匹配结果输出单元，包括一源线，输出三态内容寻址存储器对待搜索数据的查找和匹配结果。由于3D NAND FLASH是非易失性存储器，掉电之后存储的数据不会丢失，在非查找状态不需持续供电，所以相比传统的基于SRAM的TCAM而言，本公开的TCAM没有待机功耗，能够明显降低静态功耗，有效减小电路面积，对未来TCAM系统的设计和应用具有重要意义。
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