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公开(公告)号：CN116647764A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310326100.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 北京大学
IPC: H04N25/571 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种像素单元结构的操作方法、装置、设备及介质，其中，该像素单元结构的操作方法包括：确定像素单元结构的初始态；基于初始态，根据设定曝光操作规则对像素单元结构执行N个连续的子曝光操作，其中N为正整数，且N≥2；以及响应于N个连续的子曝光操作，读出像素单元结构的输出电流。因此，可以大幅优化如UTBB图像传感器的像素单元结构的光强响应曲线，显著改善其拍摄图像时的细节、层次、特征。
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公开(公告)号：CN117238938A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311196171.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 本发明公开一种光信号时间编码、频率编码像素单元和图像传感器，涉及半导体器件及集成电路领域；光信号时间编码像素单元包括：感光模块和控制电路模块；感光模块为阈值电压受到光强调制的晶体管；控制电路模块包括电流比较器和脉冲产生电路模块；晶体管的源极与电流比较器的输入端连接；晶体管的栅极输入端作为像素单元的控制端；晶体管的漏极作为像素单元的输入端；电流比较器的输出端与脉冲产生电路模块连接；本发明能够对不同光信号进行原位光电转换，不需要复杂电路以实现光信号的脉冲编码。
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公开(公告)号：CN114827488B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210447721.1
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H04N25/40
Abstract: 本公开提供了一种像素结构单元、像素结构阵列及其操作方法、图像传感器，其中，该像素结构单元包括上拉结构单元、感光输出单元和输出控制单元。感光输出单元与所述上拉结构单元相连；输出控制单元与所述感光输出单元相连；其中，在所述感光输出单元和所述输出控制单元同时处于光照条件下，且上拉结构单元被控制开启，以对所述感光输出单元充电，并使得所述输出控制单元工作以对所述感光输出单元放电。因此，从而能够使得像素结构单元根据入射光强自适应调节感光灵敏度，相对于传统CIS像素元，仅凭像素结构单元本身即可满足高对比度成像的要求，使得图像传感器在各种应用场景下都能呈现良好的成像质量。
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公开(公告)号：CN110533160A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910664715.X
申请日：2019-07-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供了一种基于NOR FLASH模拟量计算阵列的深度神经网络，包括：多个计算阵列，减法器、激活电路单元和积分-识别电路单元组成；计算阵列由多个计算单元和多条字线、位线和源极线组成；每一个计算单元包括一个NOR FLASH单元，每一列NOR FLASH单元的栅极连接同一条字线，源极连接同一条源极线，每一行NOR FLASH单元的漏极连接同一条位线，每个减法器的正极端和负极端分别连接相邻两条位线，减法器的输出端和激活电路或积分-识别电路的输入端相连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115442545A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210989732.2
申请日：2022-08-17
Applicant: 北京大学
IPC: H04N5/369
Abstract: 本公开提供了一种图像传感运算单元及其操作方法、图像传感运算器和电子设备。其中，图像传感运算单元包括第一感光单元以及第二感光单元，第二感光单元与第一感光单元串联，其中，第一感光单元在接收光照时的第一阈值电压变化方向，与第二感光单元在接收光照时的第二阈值电压变化方向相反，以实现光输入信号间的原位逻辑运算。因此，相对于现有技术，本公开实施例的图像传感运算单元能够直接在进行光电转换的同时实现原位的逻辑处理功能，使得图像传感运算单元直接输出代表相应逻辑运算结果的电信号，从而可以省略传统起逻辑处理作用的信号处理模块，有效降低系统的复杂度，提高光信号处理效率。
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公开(公告)号：CN115692445A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211353169.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , G06N3/0464
Abstract: 本公开是一种互补光电晶体管像素单元、感算阵列结构及其操作方法。该互补光电晶体管像素单元包括：第一光电场效应晶体管，为基于超薄体和隐埋氧化层的光电场效应晶体管；以及第二光电场效应晶体管，为基于超薄体和隐埋氧化层的光电场效应晶体管，且该第二光电场效应晶体管的类型不同于该第一光电场效应晶体管的类型；其中，该第一光电场效应晶体管和该第二光电场效应晶体管均为四端器件，具有栅极G、源极S、漏极D和阱基极B，该第一光电场效应晶体管的源极S或漏极D与该第二光电场效应晶体管的源极S或漏极D相连接。利用本公开，能够简化阵列结构和操作方法的复杂度，提高运算并行度，满足复用运算矩阵的需求。
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公开(公告)号：CN115623343A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211219540.X
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H04N25/70
Abstract: 本公开提供了一种感内计算像素单元、感内计算阵列结构及其操作方法和图像传感运算系统，其中，该感内计算像素单元包括第一感光单元、第二感光单元、第三感光单元以及第四感光单元。在感内计算像素单元接收到光照，且向第一感光单元和第二感光单元同时施加第一使能控制信号，同时向第三感光单元和第四感光单元同时施加第二使能控制信号时，第一感光单元输出第一输出电流，第二感光单元输出第二输出电流，第三感光单元输出第三输出电流，第四感光单元输出第四输出电流，第一输出电流、第二输出电流、第三输出电流和第四输出电流用于实现基于感内计算的相邻像素信号的运算。可实现在像素阵列内对相邻像素信号的运算处理，显著提高图像感知运算效率。
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公开(公告)号：CN115172396A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210880839.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种图像传感单元和阵列结构及像素元间相互作用的实现方法，图像传感单元包括：阱结构，为P型阱结构或N型阱结构；埋氧层，设置于阱结构上；晶体管，设置于埋氧层上；重掺杂硅层，设置于晶体管四周且位于埋氧层上，其中，重掺杂硅层数量为四个，晶体管四周的每一方位设置一个重掺杂硅层，每一重掺杂硅层与晶体管隔开，四个重掺杂硅层之间相互独立。该图像传感阵列结构由多个图像传感单元结构交替排列而成，每一图像传感单元的阱结构的掺杂类型与该图像传感单元直接相邻的其他四个图像传感单元的阱结构的掺杂类型均相反，每一图像传感单元的四个重掺杂硅层分别与该图像传感单元直接相邻的其他四个图像传感单元的一个重掺杂硅层连接。
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公开(公告)号：CN114827488A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447721.1
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供了一种像素结构单元、像素结构阵列及其操作方法、图像传感器，其中，该像素结构单元包括上拉结构单元、感光输出单元和输出控制单元。感光输出单元与所述上拉结构单元相连；输出控制单元与所述感光输出单元相连；其中，在所述感光输出单元和所述输出控制单元同时处于光照条件下，且上拉结构单元被控制开启，以对所述感光输出单元充电，并使得所述输出控制单元工作以对所述感光输出单元放电。因此，从而能够使得像素结构单元根据入射光强自适应调节感光灵敏度，相对于传统CIS像素元，仅凭像素结构单元本身即可满足高对比度成像的要求，使得图像传感器在各种应用场景下都能呈现良好的成像质量。
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