公开(公告)号：CN101252145B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200710090362.4

申请日：2007-04-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 梁学磊 ,  张志勇 ,  王胜 ,  姚琨 ,  胡又凡 ,  陈清 ,  彭练矛

IPC: H01L29/43 ,  H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定的高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101252145A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710090362.4

申请日：2007-04-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 梁学磊 ,  张志勇 ,  王胜 ,  姚琨 ,  胡又凡 ,  陈清 ,  彭练矛

IPC: H01L29/43 ,  H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定得高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。