公开(公告)号：CN1851866A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610072505.4

申请日：2006-04-11

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 刘力锋 ,  康晋锋 ,  王漪 ,  唐浩 ,  张兴 ,  王新安 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/208

Abstract: 本发明提供一种室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件制备领域。该方法首先采用溶胶—凝胶法制备Co掺杂TiO2溶胶，将溶胶旋涂在单晶硅衬底上形成CoxTi1－xO2薄膜，该CoxTi1－xO2薄膜在真空下直接退火晶化后，即具有室温铁磁性；该CoxTi1－xO2薄膜在空气中退火晶化后并不具有室温铁磁性，而经过真空或者含氢气氛下二次退火后，也可获得室温铁磁特性。采用本发明可制得具有室温铁磁性的半导体Co掺杂的TiO2薄膜。

公开(公告)号：CN101571440A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200810105177.2

申请日：2008-04-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 金玉丰 ,  赵雷 ,  唐浩 ,  张锦文 ,  邱云松

IPC: G01L21/12 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明公开了一种应用于器件级真空封装的真空度测量装置，属于微纳器件与系统的低压封装和真空封装技术领域。本发明在器件级真空封装体中加入一微型低压传感器，该微型低压传感器包括一金属丝，所述金属丝的两端固定在器件级真空封装体内预留的两个压焊点上。本发明通过连接金属丝的管脚即可进行真空测试，很方便的实现了芯片和真空测量计在同一真空封装体中的兼容，提供了便捷的真空度测量手段，大大降低了真空度的测量成本，提高了测量精度。

公开(公告)号：CN101212019A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200610170723.1

申请日：2006-12-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  康晋锋 ,  唐浩 ,  王漪 ,  刘晓彦 ,  张兴 ,  韩汝琦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括：衬底和金属－绝缘－金属(MIM)结构电阻器，MIM结构电阻器中两金属作为顶电极和底电极，绝缘体为掺杂金属元素的二氧化钛氧化物薄膜。其制备方法是采用溶胶－凝胶旋涂法、化学气相淀积、溅射等方法结合退火工艺，在金属/二氧化硅/硅上制备掺杂金属元素的二氧化钛氧化物薄膜，再在氧化物薄膜上制作顶金属电极，形成了一具有优异双稳态电阻转变和记忆特性的电阻式随机存取存储器的存储单元。