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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110629190A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201811497178.6
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备方法，涉及氮化硼制备方法，氦离子显微镜加工，和石墨烯的化学气相沉积生长。其主要特征为将氮化硼置于金属箔片基底，并用氦离子显微镜在氮化硼上刻蚀出亚10纳米孔洞，然后利用化学气相沉积法，在氮化硼纳米孔洞中生长石墨烯量子点。本发明提出的方法，解决了石墨烯量子点几何尺寸和位置不能有效控制，且稳定性不好的技术喝科学问题，氦离子加工辅助生长的方法，实现了高度可控的亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备。
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公开(公告)号：CN110629190B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811497178.6
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备方法，涉及氮化硼制备方法，氦离子显微镜加工，和石墨烯的化学气相沉积生长。其主要特征为将氮化硼置于金属箔片基底，并用氦离子显微镜在氮化硼上刻蚀出亚10纳米孔洞，然后利用化学气相沉积法，在氮化硼纳米孔洞中生长石墨烯量子点。本发明提出的方法，解决了石墨烯量子点几何尺寸和位置不能有效控制，且稳定性不好的技术喝科学问题，氦离子加工辅助生长的方法，实现了高度可控的亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备。
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公开(公告)号：CN115219290B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202110425969.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种过程控制的大面积双层二维材料转移装置及其方法，该装置包括金属箔‑双层二维材料‑金属箔样品、胶水或胶带、电极夹、对电极、参比电极、电化学工作站、两个电极片、恒电位仪、电解液、以及电解槽；其中两个电极片水平或竖直放置在电解槽内。本发明装置实用性强、结构简单、成本低，能够获得大面积双层二维材料样品，相比于转移法获得的双层二维材料样品具有更洁净的表面，相比于化学气相沉积法获得的双层二维材料样品具有更可控的尺寸和转角。
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公开(公告)号：CN115219290A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110425969.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种过程控制的大面积双层二维材料转移装置及其方法，该装置包括金属箔‑双层二维材料‑金属箔样品、胶水或胶带、电极夹、对电极、参比电极、电化学工作站、两个电极片、恒电位仪、电解液、以及电解槽；其中两个电极片水平或竖直放置在电解槽内。本发明装置实用性强、结构简单、成本低，能够获得大面积双层二维材料样品，相比于转移法获得的双层二维材料样品具有更洁净的表面，相比于化学气相沉积法获得的双层二维材料样品具有更可控的尺寸和转角。
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