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公开(公告)号：CN1404227A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02146375.1
申请日：2002-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种主从式采样/保持电路及采用该电路的模数转换器。主从式采样/保持电路由一个集总式主采样/保持电路，多个并行的第一级放大器、分布式从采样/保持电路和第二级放大器构成，分布式从采样/保持电路位于第一级放大器和第二级放大器之间，并与两级放大器共同组成信号预处理放大器。输入信号通过主采样/保持电路得到第一级被采样信号，经过第一级放大器被从采样/保持电路再次采样得第二级被采样信号，再经第二级放大器放大后被送入比较器阵列和输出编码器，得到转换后的二进制编码，完成模数转换。本发明能有效增大输入信号频率带宽和输入信号预处理放大器的工作频率范围，使用差分补偿放大器作为第一级放大器可提高采样精度。
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公开(公告)号：CN1360348A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN02100380.7
申请日：2002-01-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种二进制数字加法器电路。该电路在分组之间利用进位跳跃算法,分组内部采用ELM树形加法结构,采用新的进位结合结构将初始进位嵌入到进位链中,使得组内的进位传递实现并行,其关键路径延迟与组内的位数呈对数关系。该电路结构实现了速度快、面积小的加法器,具有连线简单、易于集成的优点,可以有效地实现32位和16位二进制加法运算。
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公开(公告)号：CN1199358C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02146375.1
申请日：2002-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种主从式采样/保持电路及采用该电路的模数转换器。主从式采样/保持电路由一个集总式主采样/保持电路，多个并行的第一级放大器、分布式从采样/保持电路和第二级放大器构成，分布式从采样/保持电路位于第一级放大器和第二级放大器之间，并与两级放大器共同组成信号预处理放大器。输入信号通过主采样/保持电路得到第一级被采样信号，经过第一级放大器被从采样/保持电路再次采样得第二级被采样信号，再经第二级放大器放大后被送入比较器阵列和输出编码器，得到转换后的二进制编码，完成模数转换。本发明能有效增大输入信号频率带宽和输入信号预处理放大器的工作频率范围，使用差分补偿放大器作为第一级放大器可提高采样精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1165078C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01134707.4
申请日：2001-11-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种焦平面读出电路像素阵列的布图方法和金属布线结构，属于微电子及光电子领域中成像系统读出电路中的像素阵列设计技术领域。本发明通过确定像素的特殊排列方式和新型的像素布图结构，并在此基础上采用特殊的探测器阵列、像素阵列连接方式进行布图，布图可以采用反转、移位的重复对称布图方式。根据本发明的布图方法提出一种金属布线结构：水平方向长走线与垂直方向长走线采用不同的金属层，避免同层金属线交叉；水平方向长走线采用Metal2、垂直方向长走线采用Metal1；垂直方向短走线采用Metal1。采用本发明的布图方法和金属布线结构，不仅实现了OES结构，并且使阵列的走线简单、积分电容的面积利用率高。
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公开(公告)号：CN1256554A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99118961.2
申请日：1999-09-03
Applicant: 北京大学
IPC: H03F3/345
Abstract: 本发明是一种新型CMOS电荷泵及其级联方法,这种新型CMOS电荷泵由时钟输入部分11,推举部分12,电压输出部分13和时钟转换部分14组成。本发明结构简单,输出电压稳定,能量效率高,减少了阈值损失,适用于集成电路中的升压装置中。它可以给需要高电压的电路模块提供电源;它还可以应用于所有外部提供单一电压、而内部需要多种电平的电路;它尤其是在对不挥发性存储器提供所需电压方面,发挥着重要作用。
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公开(公告)号：CN1114265C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN99118961.2
申请日：1999-09-03
Applicant: 北京大学
IPC: H03F3/345
Abstract: 本发明是一种新型CMOS电荷泵及其级联方法，这种新型CMOS电荷泵由时钟输入部分11，推举部分12，电压输出部分13和时钟转换部分14组成。本发明结构简单，输出电压稳定，能量效率高，减少了阈值损失，适用于集成电路中的升压装置中。它可以给需要高电压的电路模块提供电源；它还可以应用于所有外部提供单一电压、而内部需要多种电平的电路；它尤其是在对不挥发性存储器提供所需电压方面，发挥着重要作用。
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公开(公告)号：CN1348209A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01134707.4
申请日：2001-11-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种焦平面读出电路像素阵列的布图方法和金属布线结构,属于微电子及光电子领域中成像系统读出电路中的像素阵列设计技术领域。本发明通过确定像素的特殊排列方式和新型的像素布图结构,并在此基础上采用特殊的探测器阵列、像素阵列连接方式进行布图,布图可以采用反转、移位的重复对称布图方式。根据本发明的布图方法提出一种金属布线结构:水平方向长走线与垂直方向长走线采用不同的金属层,避免同层金属线交叉;水平方向长走线采用Metal2、垂直方向长走线采用Metal1;垂直方向短走线采用Meatl1。采用本发明的布图方法和金属布线结构,不仅实现了OES结构,并且使阵列的走线简单、积分电容的面积利用率高。
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