公开(公告)号：CN101719489B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910241516.4

申请日：2009-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  俞波 ,  贾嵩 ,  黄鹏 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明涉及一种超低寄生ESD保护器件，其包括：一P型衬底，所述P型衬底上形成场氧化层，所述场氧化层上为多晶硅层，所述多晶硅层上的一端为P+注入区，另一端为N+注入区，中间是本征区，在所述P+注入区和N+注入区上间隔设置有多个接触孔。因此本发明具有寄生电容超低，寄生电阻超低的特点，并可保证优越的泄放能力。

公开(公告)号：CN101719489A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910241516.4

申请日：2009-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  俞波 ,  贾嵩 ,  黄鹏 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明涉及一种超低寄生ESD保护器件，其包括：一P型衬底，所述P型衬底上形成场氧化层，所述场氧化层上为多晶硅层，所述多晶硅层上的一端为P+注入区，另一端为N+注入区，中间是本征区，在所述P+注入区和N+注入区上间隔设置有多个接触孔。因此本发明具有寄生电容超低，寄生电阻超低的特点，并可保证优越的泄放能力。