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公开(公告)号：CN102041539A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201110002679.4
申请日：2011-01-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积高有序度的GaN基光子晶体模板及其制备方法，属于半导体光子晶体的制备领域。本发明制备GaN基光子晶体的模板为具有有序纳米孔阵列的氧化铝膜，其中孔间距均匀且大小为460±10纳米，纳米孔形状为圆柱状或圆锥状。其制备方法是通过周期性重复调节电压技术，进行多次阳极氧化、扩孔。利用本发明提供的模板制备的GaN基光子结构具有增透或者减反射作用，特别适合于GaN基材料的生长LED及LD光电器件，可提高材料质量及光子的出射效率。
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