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![端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物的制备方法](/CN/2016/1/165/images/201610827505.jpg)
公开(公告)号：CN106478656B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610827505.4
申请日：2016-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C07D495/04 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 明涉及一种端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物的制备方法，所述化合物由3，6‑二(噻吩‑2‑基)吡咯并[3，4‑c]吡咯‑1，4‑二酮(DPP)与含有联[n]炔基团的小分子通过化学反应合成，其中n为大于等于1的整数，所有制备方法包括两种方式：制备方法(一)由端炔‑DPP衍生物与1‑炔烷烃发生格拉泽偶联反应，可得到n＝1，2的目标产物；制备方法(二)由可溶性二溴代DPP衍生物与联[n]炔烷烃发生Cadiot‑Chodkiewicz偶联反应，可较高产率合成n≥2的目标产物；得到的化合物可广泛地应用于有机发光二极管、场效应管和太阳能电池中。
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公开(公告)号：CN109354674A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811091620.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京印刷学院
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/146 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/414 , H01L51/0043
Abstract: 本发明公开了半氟烷基燕尾侧链取代萘二酰亚胺基共聚物、制备方法及其应用，结构通式如下所示：式中R为支链烷基，其碳原子总数为8-44，氟原子总数为6-38；m1和m2可以相等或者不相等，m1和m2分别取2-12的整数；n取0-8的整数；Ar为芳基或者杂芳基或者含有取代基的芳基或者含有取代基的杂芳基；num取10-100的整数。聚合路线具有简单高效、合成成本低等优点；聚合方法普适性高，重复性好。可以推广应用到其他含各种缺电子的受体单元聚合物的合成。
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公开(公告)号：CN118742051A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410818146.0
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本公开提出一种柔性瞬态电子器件及其制备方法与应用，属于柔性电子器件技术领域。柔性瞬态电子器件包括：第一衬底；栅电极，设置于所述第一衬底表面；栅绝缘层，设置于所述栅电极表面且覆盖栅电极；源极与漏极，间隔设置于栅绝缘层表面；有机半导体层，至少覆盖源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区域；其中，有机半导体层为含双酯基共轭断裂间隔物的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物。本公开通过引入功能化的聚合物作为有机半导体层材料，能够实现柔性(如：可拉伸、可折叠、可扭曲等)与瞬态可降解性能的兼容，开发出柔性瞬态电子器件，有望促进其在信息安全设备领域和可穿戴设备领域的发展和应用。
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公开(公告)号：CN117939976A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410105363.5
申请日：2024-01-25
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本公开的实施例提供一种超薄有机电子器件的制备方法及电子器件，包括：提供基底；在基底上表面形成栅绝缘层；在栅绝缘层上表面制作源电极和漏电极；配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的共混液；将共混液旋涂于栅绝缘层上表面，并干燥处理形成有机半导体层。由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的共混液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。
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公开(公告)号：CN118184967A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410294705.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本发明提供了一种功能侧链取代吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其制备方法和应用，属于电子器件技术领域。本发明通过将具有R1结构的烷基燕尾侧链引入到三元聚合物中，其具有良好的促溶性，能够明显改善末端氟链支链烷基链修饰聚合物的溶解性，所得DPP基三元聚合物在常规溶剂中具有良好的溶解性。同时，本发明提供的DPP基三元聚合物是线性的受体‑给体‑受体(A‑D‑A)构型共轭分子，具有ADA交替构型和刚性的大π平面结构，有利于制备高迁移率的OTFTs器件；本发明提供的DPP基三元聚合物具有较低的最高占有分子轨道能级，对氧的稳定性高具有很好的抗氧化能力，跟金电极匹配良好，有利于获得高迁移率的OTFTs器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117939977A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410105573.4
申请日：2024-01-25
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本公开的实施例提供一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列，包括：提供衬底；在所述衬底上表面形成氧化层；在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极；配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的半导体溶液；将所述半导体溶液印刷涂布于所述氧化层上表面以制备有机半导体层。由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的半导体溶液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。
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公开(公告)号：CN109354674B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201811091620.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了半氟烷基燕尾侧链取代萘二酰亚胺基共聚物、制备方法及其应用，结构通式如下所示：式中R为支链烷基，其碳原子总数为8‑44，氟原子总数为6‑38；m1和m2可以相等或者不相等，m1和m2分别取2‑12的整数；n取0‑8的整数；Ar为芳基或者杂芳基或者含有取代基的芳基或者含有取代基的杂芳基；num取10‑100的整数。聚合路线具有简单高效、合成成本低等优点；聚合方法普适性高，重复性好。可以推广应用到其他含各种缺电子的受体单元聚合物的合成。
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公开(公告)号：CN109942798A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910215598.9
申请日：2019-03-21
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本发明公开了一种末端硅氧烷基燕尾侧链取代吡咯并吡咯二酮基聚合物及其制备方法与应用。该聚合物具有末端硅氧基取代的碳原子总数为18-46的燕尾烷基链。本发明提供的合成路线具有简单高效、原料廉价成本低、具有很好普适性和重复性等优点，可以推广应用到其他各种取代基的DPP基聚合物的合成。本发明所制备聚合物由于燕尾烷基侧链取代在非氯试剂中依然具有很好的溶解性，以本发明所制备聚合物为有机半导体层采用甲苯溶剂溶解制备的OFETs的迁移率μ最高为6×10-4cm2/V·s，为绿色环保型器件制作提供了解决思路，展现了这类聚合物材料在OFETs中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118599092A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410818144.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本公开提出一种D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用，属于半导体材料技术领域。D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构通式如下：#imgabs0#其中，R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑32的支链烷基，Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种，a和b选自0‑1之间的小数，且a与b之和等于1，n代表聚合物的重复单元个数，选自1‑5000的自然数。本公开通过将该共轭断裂间隔物链段引入D‑A型半导体聚合物的分子结构中，以此达到改善其可拉伸性能、迁移率和可降解性能的目的。
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![端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物及其应用](/CN/2016/1/165/images/201610826976.jpg)
公开(公告)号：CN106478640B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610826976.3
申请日：2016-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C07D487/04 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 本发明涉及一种端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物及其应用，该化合物结构通式如下：其中R1为直链烷烃或支链烷烃，R2为H原子、三甲基硅基、直链烷烃或支链烷烃，n为大于等于1的整数。所述端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物可广泛地应用于有机发光二极管、场效应管和太阳能电池中。
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