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公开(公告)号:CN106478640B
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201610826976.3
申请日:2016-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C07D487/04 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 本发明涉及一种端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物及其应用,该化合物结构通式如下:其中R1为直链烷烃或支链烷烃,R2为H原子、三甲基硅基、直链烷烃或支链烷烃,n为大于等于1的整数。所述端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物可广泛地应用于有机发光二极管、场效应管和太阳能电池中。
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公开(公告)号:CN107056745A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201611053050.1
申请日:2016-11-25
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C07D333/38
CPC classification number: C07D333/38
Abstract: 一种偶氮甲碱桥连噻吩化合物及其制备方法,该化合物结构通式如下:其中R1为直链烷基、支链烷基或直链酯基,R2、R3、R4为亲电子性基团或H原子,并且R2,R3,R4至少一个具有亲电子性基团,所述亲电子性基团含有氰基、卤素或三氟甲基,X为碳原子、Y为氮原子,或者X为氮原子、Y为碳原子,m为0‑1的整数;提供制备对称结构与不对称结构的偶氮甲碱桥连噻吩化合物的制备方法,均是经由噻吩衍生物为原料,由氨基取代噻吩衍生物与醛基取代噻吩衍生物发生脱水缩合反应得到目标产物,产率达到40%以上;所得到的偶氮甲碱桥连噻吩化合物可广泛地应用于有机发光二极管、场效应管、柔性有源矩阵显示、有机射频电子商标、有机传感器/存储器、有机功能塑料、电子纸和太阳能电池中。
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公开(公告)号:CN106478656A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610827505.4
申请日:2016-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C07D495/04 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: C07D495/04 , C09K11/06 , C09K2211/1092 , H01L51/0074 , H01L51/5072
Abstract: 明涉及一种端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物的制备方法,所述化合物由3,6-二(噻吩-2-基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二酮(DPP)与含有联[n]炔基团的小分子通过化学反应合成,其中n为大于等于1的整数,所有制备方法包括两种方式:制备方法(一)由端炔-DPP衍生物与1-炔烷烃发生格拉泽偶联反应,可得到n=1,2的目标产物;制备方法(二)由可溶性二溴代DPP衍生物与联[n]炔烷烃发生Cadiot-Chodkiewicz偶联反应,可较高产率合成n≥2的目标产物;得到的化合物可广泛地应用于有机发光二极管、场效应管和太阳能电池中。
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公开(公告)号:CN106478640A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201610826976.3
申请日:2016-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C07D487/04 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/42 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549 , C07D487/04 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/42 , H01L51/5048
Abstract: 本发明涉及一种端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物及其应用,该化合物结构通式如下: 其中R1为直链烷烃或支链烷烃,R2为H原子、三甲基硅基、直链烷烃或支链烷烃,n为大于等于1的整数。所述端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物可广泛地应用于有机发光二极管、场效应管和太阳能电池中。
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公开(公告)号:CN109354674B
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201811091620.5
申请日:2018-09-19
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了半氟烷基燕尾侧链取代萘二酰亚胺基共聚物、制备方法及其应用,结构通式如下所示:式中R为支链烷基,其碳原子总数为8‑44,氟原子总数为6‑38;m1和m2可以相等或者不相等,m1和m2分别取2‑12的整数;n取0‑8的整数;Ar为芳基或者杂芳基或者含有取代基的芳基或者含有取代基的杂芳基;num取10‑100的整数。聚合路线具有简单高效、合成成本低等优点;聚合方法普适性高,重复性好。可以推广应用到其他含各种缺电子的受体单元聚合物的合成。
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公开(公告)号:CN109942798A
公开(公告)日:2019-06-28
申请号:CN201910215598.9
申请日:2019-03-21
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本发明公开了一种末端硅氧烷基燕尾侧链取代吡咯并吡咯二酮基聚合物及其制备方法与应用。该聚合物具有末端硅氧基取代的碳原子总数为18-46的燕尾烷基链。本发明提供的合成路线具有简单高效、原料廉价成本低、具有很好普适性和重复性等优点,可以推广应用到其他各种取代基的DPP基聚合物的合成。本发明所制备聚合物由于燕尾烷基侧链取代在非氯试剂中依然具有很好的溶解性,以本发明所制备聚合物为有机半导体层采用甲苯溶剂溶解制备的OFETs的迁移率μ最高为6×10-4cm2/V·s,为绿色环保型器件制作提供了解决思路,展现了这类聚合物材料在OFETs中有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN109942798B
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN201910215598.9
申请日:2019-03-21
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本发明公开了一种末端硅氧烷基燕尾侧链取代吡咯并吡咯二酮基聚合物及其制备方法与应用。该聚合物具有末端硅氧基取代的碳原子总数为18‑46的燕尾烷基链。本发明提供的合成路线具有简单高效、原料廉价成本低、具有很好普适性和重复性等优点,可以推广应用到其他各种取代基的DPP基聚合物的合成。本发明所制备聚合物由于燕尾烷基侧链取代在非氯试剂中依然具有很好的溶解性,以本发明所制备聚合物为有机半导体层采用甲苯溶剂溶解制备的OFETs的迁移率μ最高为6×10‑4cm2/V·s,为绿色环保型器件制作提供了解决思路,展现了这类聚合物材料在OFETs中有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN109912784A
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201910215553.1
申请日:2019-03-21
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了一种含半氟烷基侧链取代的吡咯并吡咯二酮基聚合物,尤其是半氟烷基燕尾侧链取代吡咯并吡咯二酮基共聚物及其制备方法与应用。本发明提供的合成路线具有简单高效、合成成本低、具有很好普适性和重复性等优点,可以推广应用到其他各种取代基的吡咯并吡咯二酮基共聚物的合成。以本发明聚合物PC10DPPBT为有机半导体层制备的OTFTs的迁移率高达0.0082cm2/V·s,充分展现了这类聚合物材料在OTFTs中有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN106478656B
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201610827505.4
申请日:2016-09-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C07D495/04 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 明涉及一种端基含联[n]炔基的吡咯并吡咯二酮化合物的制备方法,所述化合物由3,6‑二(噻吩‑2‑基)吡咯并[3,4‑c]吡咯‑1,4‑二酮(DPP)与含有联[n]炔基团的小分子通过化学反应合成,其中n为大于等于1的整数,所有制备方法包括两种方式:制备方法(一)由端炔‑DPP衍生物与1‑炔烷烃发生格拉泽偶联反应,可得到n=1,2的目标产物;制备方法(二)由可溶性二溴代DPP衍生物与联[n]炔烷烃发生Cadiot‑Chodkiewicz偶联反应,可较高产率合成n≥2的目标产物;得到的化合物可广泛地应用于有机发光二极管、场效应管和太阳能电池中。
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公开(公告)号:CN109354674A
公开(公告)日:2019-02-19
申请号:CN201811091620.5
申请日:2018-09-19
Applicant: 北京印刷学院
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/146 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/414 , H01L51/0043
Abstract: 本发明公开了半氟烷基燕尾侧链取代萘二酰亚胺基共聚物、制备方法及其应用,结构通式如下所示:式中R为支链烷基,其碳原子总数为8-44,氟原子总数为6-38;m1和m2可以相等或者不相等,m1和m2分别取2-12的整数;n取0-8的整数;Ar为芳基或者杂芳基或者含有取代基的芳基或者含有取代基的杂芳基;num取10-100的整数。聚合路线具有简单高效、合成成本低等优点;聚合方法普适性高,重复性好。可以推广应用到其他含各种缺电子的受体单元聚合物的合成。
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