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公开(公告)号：CN118742051A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410818146.0
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本公开提出一种柔性瞬态电子器件及其制备方法与应用，属于柔性电子器件技术领域。柔性瞬态电子器件包括：第一衬底；栅电极，设置于所述第一衬底表面；栅绝缘层，设置于所述栅电极表面且覆盖栅电极；源极与漏极，间隔设置于栅绝缘层表面；有机半导体层，至少覆盖源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区域；其中，有机半导体层为含双酯基共轭断裂间隔物的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物。本公开通过引入功能化的聚合物作为有机半导体层材料，能够实现柔性(如：可拉伸、可折叠、可扭曲等)与瞬态可降解性能的兼容，开发出柔性瞬态电子器件，有望促进其在信息安全设备领域和可穿戴设备领域的发展和应用。
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公开(公告)号：CN117939976A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410105363.5
申请日：2024-01-25
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本公开的实施例提供一种超薄有机电子器件的制备方法及电子器件，包括：提供基底；在基底上表面形成栅绝缘层；在栅绝缘层上表面制作源电极和漏电极；配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的共混液；将共混液旋涂于栅绝缘层上表面，并干燥处理形成有机半导体层。由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的共混液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。
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公开(公告)号：CN112675423A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011538301.1
申请日：2020-12-23
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明提供了一种电刺激微电极及制备方法，电刺激微电极包括柔性衬底、固含量大于95％的UV油墨固化后形成的凸起结构、金属薄膜、金属电极和柔性封装层。在制备时，UV油墨固化后在柔性衬底的一面形成凸起结构，在凸起结构外表面完全覆盖金属薄膜；金属电极贴合所述柔性衬底，金属电极的一端与金属薄膜直接接触，另一端连接外部供电；柔性封装层覆盖在金属电极表面，露出凸起结构外表面的金属薄膜作为刺激位点，形成本发明中的电刺激微电极结构。利用本发明中的电刺激微电极刺激神经组织时，具有很好的生物相容性，刺激位点上的电流密度分布均匀而且电极阻抗较小，能够产生很好的电刺激效果。
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公开(公告)号：CN112675423B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202011538301.1
申请日：2020-12-23
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明提供了一种电刺激微电极及制备方法，电刺激微电极包括柔性衬底、固含量大于95％的UV油墨固化后形成的凸起结构、金属薄膜、金属电极和柔性封装层。在制备时，UV油墨固化后在柔性衬底的一面形成凸起结构，在凸起结构外表面完全覆盖金属薄膜；金属电极贴合所述柔性衬底，金属电极的一端与金属薄膜直接接触，另一端连接外部供电；柔性封装层覆盖在金属电极表面，露出凸起结构外表面的金属薄膜作为刺激位点，形成本发明中的电刺激微电极结构。利用本发明中的电刺激微电极刺激神经组织时，具有很好的生物相容性，刺激位点上的电流密度分布均匀而且电极阻抗较小，能够产生很好的电刺激效果。
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公开(公告)号：CN118184967A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410294705.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本发明提供了一种功能侧链取代吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其制备方法和应用，属于电子器件技术领域。本发明通过将具有R1结构的烷基燕尾侧链引入到三元聚合物中，其具有良好的促溶性，能够明显改善末端氟链支链烷基链修饰聚合物的溶解性，所得DPP基三元聚合物在常规溶剂中具有良好的溶解性。同时，本发明提供的DPP基三元聚合物是线性的受体‑给体‑受体(A‑D‑A)构型共轭分子，具有ADA交替构型和刚性的大π平面结构，有利于制备高迁移率的OTFTs器件；本发明提供的DPP基三元聚合物具有较低的最高占有分子轨道能级，对氧的稳定性高具有很好的抗氧化能力，跟金电极匹配良好，有利于获得高迁移率的OTFTs器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117939977A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410105573.4
申请日：2024-01-25
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本公开的实施例提供一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列，包括：提供衬底；在所述衬底上表面形成氧化层；在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极；配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的半导体溶液；将所述半导体溶液印刷涂布于所述氧化层上表面以制备有机半导体层。由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的半导体溶液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。
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公开(公告)号：CN119639271A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411827926.8
申请日：2024-12-12
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C09D11/03 , C09D11/033 , C09D11/106 , C09D11/102 , C09D11/105 , C09D11/107
Abstract: 本发明属于新一代印刷油墨技术领域，涉及一种适用于印刷电致发光器件发光层的印刷油墨及制备方法，所述适用于印刷电致发光器件发光层的印刷油墨主要由以下质量份数的原料制成：电致发光材料0.5～5份、电致发光材料用溶剂20～45份、水15～32份、合成树脂5～20份、合成树脂溶解用溶剂15～30份、表面活性剂0.5～3份、pH调节剂0.5～3份；所述电致发光材料由DNA、聚苯胺和稀土铕配合物复合而成。本发明印刷油墨具有广泛的承印材料适应性，且制备工艺简单，可广泛应用于各种PET薄膜、硅片、玻璃及纸张材料表面进行印刷，且附着牢固不易脱落，能够实现高分辨率、高精度的印刷效果。
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公开(公告)号：CN118599092A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410818144.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本公开提出一种D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用，属于半导体材料技术领域。D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构通式如下：#imgabs0#其中，R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑32的支链烷基，Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种，a和b选自0‑1之间的小数，且a与b之和等于1，n代表聚合物的重复单元个数，选自1‑5000的自然数。本公开通过将该共轭断裂间隔物链段引入D‑A型半导体聚合物的分子结构中，以此达到改善其可拉伸性能、迁移率和可降解性能的目的。
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公开(公告)号：CN115968238A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211672603.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了一种基于DNA‑DTMA的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，包括提供一附着有栅电极材料的基底，并对所述基底进行预处理；在预处理后的基底上制备栅极介质层，其中，所述栅极介质层基于DNA‑DTMA复合物制备得到；在栅极介质层上制备半导体层；在半导体层上制备源漏电极层。与现有技术相比，本发明制备得到的有机场效应晶体管存储器利用生物材料DNA‑DTMA通过离子交换反应，有效减少了DNA中天然存在的钠离子的移动，改善有机场效应晶体管的记忆性能，制作成本低、效率高、适于规模化生产。
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公开(公告)号：CN118599091A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410818142.2
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本公开提出一种D‑A‑D‑C结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用，属于半导体材料技术领域。D‑A‑D‑C结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构式如下：#imgabs0#其中，R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑28的支链烷基；Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种；a和b选自0‑1之间的小数，且a与b之和等于1，n代表聚合物的重复单元个数，选自1‑5000的自然数。通过将共轭断裂间隔物链段引入吡咯并吡咯二酮基半导体聚合物的分子结构中，以提升聚合物的可拉伸性能与迁移率，同时改善其可降解性能，满足高迁移率与高可拉伸性的应用需求。
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