公开(公告)号：CN118742051A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410818146.0

申请日：2024-06-24

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 吴倜 ,  曹龙 ,  李永鹏 ,  俞朝晖 ,  冯宇光 ,  刘省珍 ,  曹进 ,  郑路遥 ,  孙圣陶

IPC: H10K10/46 ,  H10K85/10 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15

Abstract: 本公开提出一种柔性瞬态电子器件及其制备方法与应用，属于柔性电子器件技术领域。柔性瞬态电子器件包括：第一衬底；栅电极，设置于所述第一衬底表面；栅绝缘层，设置于所述栅电极表面且覆盖栅电极；源极与漏极，间隔设置于栅绝缘层表面；有机半导体层，至少覆盖源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区域；其中，有机半导体层为含双酯基共轭断裂间隔物的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物。本公开通过引入功能化的聚合物作为有机半导体层材料，能够实现柔性(如：可拉伸、可折叠、可扭曲等)与瞬态可降解性能的兼容，开发出柔性瞬态电子器件，有望促进其在信息安全设备领域和可穿戴设备领域的发展和应用。

公开(公告)号：CN118599091A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410818142.2

申请日：2024-06-24

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 吴倜 ,  曹龙 ,  李永鹏 ,  俞朝晖 ,  冯宇光 ,  刘省珍 ,  曹进 ,  郑路遥 ,  孙圣陶

IPC: C08G61/12

Abstract: 本公开提出一种D‑A‑D‑C结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用，属于半导体材料技术领域。D‑A‑D‑C结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构式如下：#imgabs0#其中，R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑28的支链烷基；Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种；a和b选自0‑1之间的小数，且a与b之和等于1，n代表聚合物的重复单元个数，选自1‑5000的自然数。通过将共轭断裂间隔物链段引入吡咯并吡咯二酮基半导体聚合物的分子结构中，以提升聚合物的可拉伸性能与迁移率，同时改善其可降解性能，满足高迁移率与高可拉伸性的应用需求。

公开(公告)号：CN118599092A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410818144.1

申请日：2024-06-24

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 吴倜 ,  曹龙 ,  李永鹏 ,  俞朝晖 ,  冯宇光 ,  刘省珍 ,  曹进 ,  郑路遥 ,  孙圣陶

IPC: C08G61/12

Abstract: 本公开提出一种D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用，属于半导体材料技术领域。D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构通式如下：#imgabs0#其中，R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑32的支链烷基，Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种，a和b选自0‑1之间的小数，且a与b之和等于1，n代表聚合物的重复单元个数，选自1‑5000的自然数。本公开通过将该共轭断裂间隔物链段引入D‑A型半导体聚合物的分子结构中，以此达到改善其可拉伸性能、迁移率和可降解性能的目的。