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公开(公告)号：CN110033481B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201810024743.0
申请日：2018-01-10
Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
IPC: G06T7/50 , G06T7/73 , G06T3/40 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 公开了一种对图像进行处理的方法和设备。所述方法包括：接收输入的图像；以及根据所述图像中的预定目标的位置、尺寸和类别来估计所述预定目标的深度。
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公开(公告)号：CN114565953A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011359407.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 本申请实施例提供了一种图像处理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，涉及图像处理技术领域。该图像处理方法包括：获取图像的特征图；根据特征图，确定关键点。本申请实施例提供的图像处理方法可以基于人工智能的方式实现，可以提高关键点位置检测的准确率。
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公开(公告)号：CN110163909B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201810148359.1
申请日：2018-02-12
Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提出了获得设备位姿的方法。该方法包括：获取惯性测量单元IMU数据；采用集束优化的方法，基于IMU数据来估计设备的基础位姿以及IMU参数；其中，采用以下操作中的任一项或任意多项的组合进行处理：采用设备的静止状态对设备的基础位姿进行约束；采用松耦合集束优化的方法对IMU参数进行优化；对IMU数据进行积分得到位姿变化，根据位姿变化和基础位姿得到设备的第二位姿，在基础位姿更新后，对第二位姿与更新的基础位姿之间的差异进行补偿；利用深度学习网络来预测设备的未来位姿；根据历史图像帧对应的设备的位姿和当前图像帧对应的设备的位姿，对历史图像帧进行变形得到当前图像帧。本公开还提出了对应设备和存储介质。
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公开(公告)号：CN110163909A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810148359.1
申请日：2018-02-12
Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提出了获得设备位姿的方法。该方法包括：获取惯性测量单元IMU数据；采用集束优化的方法，基于IMU数据来估计设备的基础位姿以及IMU参数；其中，采用以下操作中的任一项或任意多项的组合进行处理：采用设备的静止状态对设备的基础位姿进行约束；采用松耦合集束优化的方法对IMU参数进行优化；对IMU数据进行积分得到位姿变化，根据位姿变化和基础位姿得到设备的第二位姿，在基础位姿更新后，对第二位姿与更新的基础位姿之间的差异进行补偿；利用深度学习网络来预测设备的未来位姿；根据历史图像帧对应的设备的位姿和当前图像帧对应的设备的位姿，对历史图像帧进行变形得到当前图像帧。本公开还提出了对应设备和存储介质。
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公开(公告)号：CN110033481A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810024743.0
申请日：2018-01-10
Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种对图像进行处理的方法和设备。所述方法包括：接收输入的图像；以及根据所述图像中的预定目标的位置、尺寸和类别来估计所述预定目标的深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118684714A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410335033.5
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，且n1和n2各自独立地为1或2，其中X1为C或N，X2为C或N，X11为C(R11)或N，X12为C(R12)或N，X13为C(R13)或N，X14为C(R14)或N，X15为C(R15)或N，X16为C(R16)或N，且X17为C(R17)或N，条件是X14‑X17的至少一个不为N；并且R14‑R17的至少一个包括‑Si(Q1)(Q2)(Q3)或‑Ge(Q1)(Q2)(Q3)；且式1A和1B的基团和变量如本文中所提供的。式1M1(L1)n1(L2)n2式1A#imgabs0#式1B#imgabs1#
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公开(公告)号：CN118290485A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410008047.6
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，其中X1为C或N；X2为C或N；X11为C(R11)或N；X12为C(R12)或N；Y1为O、S、或Se；环CY1为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；X21为C(R21)或N，X22为C(R22)或N，X23为C(R23)或N，并且X24为C(R24)或N；各L10独立地为单键、取代或未取代的C5‑C30碳环基团、或者取代或未取代的C1‑C30杂环基团；a10为1‑3的整数；并且其它取代基和变量如本文中所定义的。式1M1(L1)n1(L2)n2;式1A#imgabs0#;式1B#imgabs1#
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公开(公告)号：CN119331022A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410935879.2
申请日：2024-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，其中X43为C(R43)、N、或者与Y3键合的C；X44为C(R44)、N、或者与Y2或Y3键合的C；X45为C(R45)、N、或者与Y2或Y3键合的C；且X46为C(R46)、N、或者与Y2键合的C，其中i)X43为与Y3键合的C，并且X44为与Y2键合的C；ii)X44为与Y3键合的C，并且X45为与Y2键合的C；或者iii)X45为与Y3键合的C，并且X46为与Y2键合的C，并且剩余基团和各变量如本文中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2#imgabs0#式2#imgabs1#
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公开(公告)号：CN117510549A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310969189.4
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，在式1A和1B中，X1‑X4各自独立地为C或N，Y1为O、S、Se、C(R5)(R6)、N(R7)、或Si(R8)(R9)，环CY2和环CY4各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团，环CY3为6元杂环基团、与C5‑C30碳环基团稠合的6元杂环基团、或者与C1‑C30杂环基团稠合的6元杂环基团，Z1包括至少一个氘，并且其它基团和变量如说明书中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2式1A 式1B
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